Infineon Technologies FS200R07N3E4RBOSA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

35

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

FS200R07N3E4RBOSA1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

650V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55V

Number of Elements

6

Turn Off Delay Time

340 ns

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

35

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

35

配置

三相逆变器

功率耗散

600W

接通延迟时间

150 ns

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

650V

最大集电极电流

200A

最大集极截止电流

1mA

接通时间

210 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.95V @ 15V, 200A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

200A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

13nF @ 25V

高度

17.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅