Microchip Technology APTGLQ75H120TG

包装/外壳

SP4

安装类型

底座安装

表面安装

NO

供应商器件包装

SP4

终端数量

15

晶体管元件材料

SILICON

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05 V

Continuous Collector Current at 25 C

130 A

Gate-Emitter Leakage Current

150 nA

Pd - Power Dissipation

385 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

3.880136 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

130 A

Base Product Number

APTGLQ75

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

79 ns

Operating Temperature-Min

-40 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

414 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGLQ75H120TG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.67

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X15

配置

Quad

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

385 W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

50 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

385 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 75A

集电极电流-最大值(IC)

130 A

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

4.4 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.4 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.3 V

产品

IGBT硅模块