类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 输入类型 | 功率 - 最大 | 正向电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 接通时间 | 隔离电压 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | 闸门收费 | 集极脉冲电流(Icm) | Td(开/关)@25°C | 开关能量 | NTC热敏电阻 | 输入电容(Cies)@Vce | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 25 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | Screw | 18 | 1.7V | 6 | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 18 | EAR99 | 150°C | -40°C | 205W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | Single | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | 650V | 70A | 650V | 45 ns | 250 ns | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GLQ65JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | Details | 650 V | 430 W | 1.85 V | 165 A | - 55 C | + 150 C | 150 nA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | ISOTOP | 1.058219 oz | Tube | 165 A | APT100 | 活跃 | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 430 W | Standard | 50 µA | 650 V | 2.3V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 无 | 6.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1600R12HP4HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 2592 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | NO | SILICON | 3 | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-XUFM-X9 | COMPLEX | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 890 ns | 4930A | 1550 ns | 1200V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2824 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 200A | 6 | -40°C~150°C | 2003 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | 20 | R-XUFM-X20 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 680W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 190 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 9.35nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100SK170TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | Details | 1.7 kV | 560 W | 2 V | 150 A | - 40 C | + 100 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 560 W | Single | Single | 560 W | Standard | 1.7 kV | 150 A | 250 µA | 1700 V | 9 nF | 2.4V @ 15V, 100A | 150 | 沟渠现场停车 | 有 | 9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GP60JDQ2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | ISOTOP® | Details | 600 V | 329 W | 2.2 V | 100 A | - 55 C | + 150 C | 100 nA | 30 V | SMD/SMT | 微芯片技术 | 1 | Tube | 100 A | APT50GP60 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | POWER MOS 7® | Single | 329 W | Standard | 525 µA | 600 V | 2.7V @ 15V, 50A | PT | 无 | 5.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS25R12W1T4B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 6010 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 45A | -40°C~150°C | 2002 | EasyPACK™ 1B | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 205W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 1200V | 2.25V @ 15V, 25A | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ600R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 47 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 600A | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X3 | Single | ISOLATED | 3000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 370 ns | 2.1V @ 15V, 600A | 810 ns | 无 | 1.7nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100TL170G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 12 | SP6 | Details | 1.7 kV | 560 W | 2 V | 150 A | - 40 C | + 100 C | 500 nA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 150 A | APTGT100 | 活跃 | 1.7 kV | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 560 W | 三级逆变器 | 560 W | Standard | 2.4 V | 150 A | 350 µA | 1700 V | 9 nF | 2.4V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 无 | 9 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL325A120D3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | D3-11 | 7 | D3 | Details | 1.2 kV | 1.5 kW | 1.8 V | 420 A | - 40 C | + 125 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | 1.2 kV | Bulk | 420 A | APTGL325 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | 175 °C | -40 °C | 1.5 kW | Dual | Dual | 1.5 | 1500 W | Standard | 1.2 kV | 420 A | 5 mA | 1200 V | 18.6 nF | 2.2V @ 15V, 300A | 420 | 沟渠现场停车 | 无 | 18.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4100R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2122 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 130A | 4 | -40°C~125°C | 活跃 | 不适用 | 26 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X26 | 三相逆变器 | ISOLATED | 660W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 190 ns | 3.75V @ 15V, 100A | 390 ns | 有 | 6.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS10R12VT3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Tin | PCB, Screw | 底座安装 | Module | 750 | SILICON | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | 64W | UPPER | UNSPECIFIED | 11 | R-XUFM-X11 | 三相逆变器 | ISOLATED | 64W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 16A | 1mA | 1200V | 62 ns | 2.45V @ 15V, 10A | 540 ns | 无 | 700pF @ 25V | 12mm | 32.4mm | 25.4mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS450R17KE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 813 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 600A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | R-XUFM-X29 | 不合格 | 全桥 | ISOLATED | 2500W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1700V | 380 ns | 2.3V @ 15V, 450A | 1600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 36nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12IP4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2724 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 600A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 半桥 | ISOLATED | 3350W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 370 ns | 2.05V @ 15V, 600A | 1050 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 37nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS300R17KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 590 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 2.45V | 1.7kV | 6 | -40°C~125°C | 2002 | EconoPACK™+ | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 全桥 | 1.65kW | ISOLATED | 1650W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 375A | 3mA | 1700V | 384 ns | 2.45V @ 15V, 300A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 27nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT150GN60LDQ4G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 通孔 | 通孔 | TO-264-3 | TO-264 [L] | Details | 600 V | 536 W | 1.45 V | 220 A | - 55 C | + 175 C | 600 nA | 30 V | 通孔 | 微芯片技术 | 1 | 0.352740 oz | Tube | 220 A | APT150 | 活跃 | 400V, 150A, 1Ohm, 15V | 600 V | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -55 °C | 536 W | Single | Single | Standard | 536 W | 600 V | 220 A | 600 V | 1.85V @ 15V, 150A | 沟渠现场停车 | 970 nC | 450 A | 44ns/430ns | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) | IGBT碳化硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2318 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 200A | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 700W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 610 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 10.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U75N16W1RBOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Tin | PCB, Through Hole | 底座安装 | Module | 10 | SILICON | 1 | -40°C~150°C | 2006 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 27 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 27 | R-XUFM-X27 | 不合格 | 三相逆变器 | Single | ISOLATED | 335W | 65A | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 69A | 1mA | 1.6kV | 1200V | 137 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 630 ns | 有 | 2.8nF @ 25V | 12mm | 48mm | 33.8mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS10R06VE3B2BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 750 | SILICON | 16A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 15 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X15 | 三相逆变器 | ISOLATED | 50W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 16A | 1mA | 26 ns | 2V @ 15V, 10A | 260 ns | 有 | 550pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ600A65T6G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | SP6 | SP6 | Details | 650 V | 2 kW | 1.85 V | 770 A | - 40 C | + 100 C | 1 uA | 20 V | 底座安装 | 微芯片技术 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 1200 A | APTGLQ600 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Dual | 2 | 2000 W | Standard | 600 µA | 650 V | 2.4V @ 15V, 600A | 770 | 沟渠现场停车 | 有 | 36.6 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FPF2G120BF07AS | ON Semiconductor | 数据表 | 2344 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | 通孔 | 通孔 | Module | 17 | 45g | 650V | -40°C~150°C TJ | 2014 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8542.39.00.01 | 156W | 未说明 | 未说明 | 3 Independent | 156W | Standard | 2.2V | 40A | 250μA | 2.5kV | 2.2V @ 15V, 40A | 场站 | 有 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD300R07PE4B6BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2102 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 300A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 940W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 650V | 1.95V @ 15V, 300A | 沟渠现场停车 | 有 | 18.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT40GP90J | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | ISOTOP® | Details | 900 V | SMD/SMT | 3.2 V | 68 A | 20 V | + 150 C | 100 nA | - 55 C | 284 W | 微芯片技术 | 1 | Tube | 68 A | APT40GP90 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | POWER MOS 7® | Single | 284 W | Standard | 250 µA | 900 V | 3.9V @ 15V, 40A | PT | 无 | 3.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2028 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1450W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 275A | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.7V @ 15V, 225A | 590 ns | 有 | 15nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R17KE3NOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | Screw | Module | 130 | 2 | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | 125°C | -40°C | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | not_compliant | 未说明 | 10 | R-XUFM-X10 | 不合格 | Dual | ISOLATED | 不含卤素 | N-CHANNEL | 1.7kV | 900A | 900 ns | 1900 ns | 38mm | 140mm | 130mm | ROHS3 Compliant | 含铅 |
FS50R07W1E3B11ABOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
326.459158
APT100GLQ65JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1600R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,083.245108
FS150R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
863.922058
APTGT100SK170TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GP60JDQ2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS25R12W1T4B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
409.401825
FZ600R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
671.379096
APTGT100TL170G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL325A120D3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F4100R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
896.502113
FS10R12VT3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS450R17KE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
5,628.285162
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,595.637789
FS300R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,960.449817
APT150GN60LDQ4G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS150R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,071.187598
DDB6U75N16W1RBOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
434.329390
FS10R06VE3B2BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ600A65T6G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FPF2G120BF07AS
ON Semiconductor
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,117.837628
FD300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
855.871808
APT40GP90J
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF225R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,453.951561
FF600R17KE3NOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
