Microchip Technology APT150GN60LDQ4G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45 V

Continuous Collector Current at 25 C

220 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

536 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Maximum Gate Emitter Voltage

30 V

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.352740 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

220 A

Base Product Number

APT150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 150A, 1Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

536 W

配置

Single

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

536 W

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

220 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 150A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

970 nC

集极脉冲电流（Icm）

450 A

Td（开/关）@25°C

44ns/430ns

开关能量

8.81mJ (on), 4.295mJ (off)

产品

IGBT碳化硅模块

辐射硬化

无

无铅

无铅