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1

￥230.820637
10

￥217.755319
100

￥205.429544
500

￥193.801458
1000

￥182.831563

Microchip Technology APT50GP60JDQ2

Name: APT50GP60JDQ2
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APT50GP60JDQ2
Price: 230.82 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT50GP60JDQ2

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APT50GP60JDQ2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

ISOTOP-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227View in Development Tools Selector

起订量

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APT50GP60JDQ2 Microchip Technology IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227View in Development Tools Selector

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APT50GP60JDQ2详情

技术参数

Microchip Technology APT50GP60JDQ2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

ISOTOP-4
安装类型

底座安装
供应商器件包装

ISOTOP®
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C

100 A
Gate-Emitter Leakage Current

100 nA
Pd - Power Dissipation

329 W
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage

30 V
Mounting Styles

SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

100 A
Base Product Number

APT50GP60
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

POWER MOS 7®
配置

Single
功率 - 最大

329 W
输入

Standard
最大集极截止电流

525 µA
电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 50A
IGBT类型

PT
NTC热敏电阻

无
输入电容(Cies)@Vce

5.7 nF @ 25 V
产品

IGBT硅模块

0个相似型号

APT50GP60JDQ2拓展信息

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