Microchip Technology APT40GP90J

包装/外壳

ISOTOP-4

安装类型

底座安装

供应商器件包装

ISOTOP®

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

900 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Pd - Power Dissipation

284 W

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Continuous Collector Current at 25 C

68 A

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

68 A

Base Product Number

APT40GP90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

配置

Single

功率 - 最大

284 W

输入

Standard

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 40A

IGBT类型

PT

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

3.3 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块