类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

输出电压

最大输出电流

工作电源电压

极性

配置

最大电源电压

最小电源电压

工作电源电流

元素配置

功率耗散

输出电流

箱体转运

输入类型

接通延迟时间

功率 - 最大

正向电流

晶体管应用

无卤素

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

最大重复反向电压(Vrrm)

最大集极截止电流

JEDEC-95代码

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

驱动器数量

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

闸门收费

集极脉冲电流(Icm)

Td(开/关)@25°C

开关能量

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

栅极-发射极Thr电压-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FS100R12KT4GBOSA1
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

2937 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

100A

6

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

515W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

165 ns

2.2V @ 15V, 100A

570 ns

沟渠现场停车

有

6.3nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF1400R17IP4BOSA1
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

763 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

50 Weeks

Screw

底座安装

Module

12

SILICON

2.2V

1400A

2

-40°C~150°C

2002

PrimePACK™3

no

活跃

1 (Unlimited)

12

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

12

不合格

2 Independent

Dual

9.55kW

ISOLATED

955000W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.7kV

5mA

1700V

1030 ns

2.2V @ 15V, 1400A

2190 ns

沟渠现场停车

有

110nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

FS200R12KT4RB11BOSA1
FS200R12KT4RB11BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2630 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

280A

6

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

35

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X35

三相逆变器

ISOLATED

1000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

190 ns

2.15V @ 15V, 200A

600 ns

有

14nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FF300R12KE4HOSA1
FF300R12KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

4 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

SILICON

460A

2

-40°C~150°C

2002

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

7

不合格

NPN

2 Independent

Dual

ISOLATED

1600W

不含卤素

Standard

5mA

1200V

325 ns

2.15V @ 15V, 300A

800 ns

沟渠现场停车

有

19nF @ 25V

符合RoHS标准

无铅

APT85GR120L
APT85GR120L
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-264-3

NO

TO-264

3

SILICON

962 W

3.5 V

170 A

- 55 C

+ 150 C

250 nA

30 V

通孔

1

0.352740 oz

Tube

微芯片技术

170 A

APT85GR120

活跃

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

113 ns

-55 °C

445 ns

150 °C

有

APT85GR120L

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

2.15

Details

1200 V

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

EAR99

SINGLE

THROUGH-HOLE

compliant

R-PSFM-T3

Single

962

COLLECTOR

Standard

962 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

TO-264AA

1200 V

962 W

3.2V @ 15V, 85A

170 A

170

NPT

1200 V

660 nC

340 A

43ns/300ns

6mJ (on), 3.8mJ (off)

30 V

6.5 V

IGBT硅模块

2ED300C17SROHSBPSA1
2ED300C17SROHSBPSA1
Infineon Technologies 数据表

2085 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

表面贴装

通孔

Module

18

400 ns

-25°C~85°C

2008

活跃

1 (Unlimited)

20V

30A

15V

2 Independent

16V

14V

80mA

Dual

30A

400 ns

不含卤素

Standard

1700V

2

无

符合RoHS标准

含铅

FP15R12W1T4B3BOMA1
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

88 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

20

SILICON

1.85V

1.2kV

6

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

20

EAR99

UL认证

130W

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

130W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

28A

1mA

1200V

120 ns

2.25V @ 15V, 15A

495 ns

沟渠现场停车

有

890pF @ 25V

Unknown

符合RoHS标准

含铅

FS200R12KT4RBOSA1
FS200R12KT4RBOSA1
Infineon Technologies 数据表

2153 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

280A

6

-40°C~150°C TJ

2013

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

1000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

190 ns

2.15V @ 15V, 200A

600 ns

NPT

有

14nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF450R12KE4HOSA1
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

2593 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

7

520A

2

-40°C~150°C TJ

2008

C

yes

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

7

NPN

半桥

Dual

ISOLATED

2400W

不含卤素

Standard

5mA

1200V

2400W

325 ns

2.15V @ 15V, 450A

800 ns

沟渠现场停车

无

20V

28nF @ 25V

2.15 V

ROHS3 Compliant

无铅

DDB6U134N16RRBOSA1
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies 数据表

9800 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

70A

1

150°C TJ

2000

no

活跃

1 (Unlimited)

19

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

19

R-XUFM-X19

不合格

Single

ISOLATED

500W

35A

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.6kV

500μA

1600V

2.75V @ 15V, 70A

NPT

有

5.1nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

APT150GT120JR
APT150GT120JR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

ISOTOP®

3.2 V

170 A

900 nA

微芯片技术

活跃

Details

1200 V

830 W

- 55 C

+ 150 C

20 V

底座安装

1

Thunderbolt IGBT, ISOTOP

1.058219 oz

Tube

170 A

APT150

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tube

Thunderbolt IGBT®

Single

830 W

Standard

- 55 C to + 150 C

150 µA

1200 V

3.7V @ 15V, 150A

NPT

无

9.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

APT150GN120J
APT150GN120J
Atmel (Microchip Technology) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SOT-227-4

1.7 V

215 A

600 nA

Details

1200 V

625 W

- 55 C

+ 150 C

30 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

Tube

Single

- 55 C to + 150 C

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

APTGLQ100DA120T1G
APTGLQ100DA120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1

SP1

2.05 V

170 A

150 nA

微芯片技术

1200 V

520 W

- 40 C

+ 125 C

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

Bulk

170 A

APTGLQ100

活跃

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

Single

520 W

Standard

50 µA

1200 V

2.42V @ 15V, 100A

沟渠现场停车

有

6.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FP30R06W1E3B11BOMA1
FP30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies 数据表

24 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

23

SILICON

37A

7

-40°C~150°C

Bulk

2002

活跃

不适用

23

EAR99

UL认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

115W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

600V

37A

1mA

42 ns

2V @ 15V, 30A

245 ns

沟渠现场停车

有

1.65nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 数据表

209 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

1200A

1

-40°C~150°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

5

R-XUFM-X3

Single

ISOLATED

3350W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1700V

355 ns

2.3V @ 15V, 600A

930 ns

沟渠现场停车

无

49nF @ 25V

ROHS3 Compliant

无铅

FP10R12W1T4BOMA1
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

91 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

20A

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

23

不合格

三相逆变器

ISOLATED

105W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

108 ns

2.25V @ 15V, 10A

500 ns

沟渠现场停车

有

600pF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP50R12KT3BOSA1
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

75A

7

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

280W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

140 ns

2.15V @ 15V, 50A

610 ns

有

3.5nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGT50DDA60T3G
APTGT50DDA60T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

1.5 V

80 A

600 nA

微芯片技术

Details

600 V

176 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

80 A

APTGT50

活跃

600 V

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

176 W

Dual

Dual

176 W

Standard

600 V

80 A

250 µA

600 V

3.15 nF

1.9V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

3.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FF600R12IE4BOSA1
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2839 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

底座安装

Module

NO

10

SILICON

600A

2

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

7

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

R-XUFM-X7

不合格

半桥

Dual

ISOLATED

3350W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

3350W

410 ns

2.05V @ 15V, 600A

1020 ns

沟渠现场停车

有

20V

37nF @ 25V

2.05 V

ROHS3 Compliant

含铅

FZ250R65KE3NPSA1
FZ250R65KE3NPSA1
Infineon Technologies 数据表

990 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

20 Weeks

Screw

底座安装

Module

5

500A

1

-50°C~125°C

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

EAR99

Single

4800W

不含卤素

Standard

6.5kV

250A

5mA

6500V

4800W

3.4V @ 15V, 250A

无

20V

69nF @ 25V

3.4 V

Non-RoHS Compliant

含铅

APT200GN60JDQ4
APT200GN60JDQ4
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SOT-227-4

NO

ISOTOP®

4

SILICON

Details

600 V

682 W

1.5 V

283 A

- 55 C

+ 175 C

600 nA

20 V

底座安装

1

ISOTOP

1.058219 oz

微芯片技术

Tube

283 A

APT200

活跃

ISOTOP-4 PIN

FLANGE MOUNT

PLASTIC/EPOXY

130 ns

ISOTOP

660 ns

未说明

175 °C

有

APT200GN60JDQ4

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

1.52

ISOTOP

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

unknown

4

R-PUFM-X4

不合格

Single

682

ISOLATED

682 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

- 55 C to + 175 C

50 µA

600 V

682 W

1.85V @ 15V, 200A

283 A

283

沟渠现场停车

600 V

无

20 V

14.1 nF @ 25 V

IGBT硅模块

9.6 mm

38.2 mm

25.4 mm

F475R06W1E3BOMA1
F475R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

3 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

15

SILICON

100A

4

-40°C~150°C

2002

活跃

不适用

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-XUFM-X11

三相逆变器

ISOLATED

275W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

45 ns

1.9V @ 15V, 75A

330 ns

沟渠现场停车

有

4.6nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

FP50R06W2E3BOMA1
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies 数据表

10000 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

65A

7

-40°C~150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

175W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

600V

85 ns

1.9V @ 15V, 50A

470 ns

沟渠现场停车

有

3.1nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS75R12KE3BOSA1
FS75R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

105A

6

150°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

28

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

28

R-XUFM-X28

不合格

三相逆变器

ISOLATED

350W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 75A

610 ns

NPT

有

5.3nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FP35R12W2T4BOMA1
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies 数据表

12 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

23

SILICON

54A

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

23

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

215W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1mA

1200V

43 ns

2.25V @ 15V, 35A

510 ns

沟渠现场停车

有

2nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅