类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 输出电压 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 极性 | 配置 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 工作电源电流 | 元素配置 | 功率耗散 | 输出电流 | 箱体转运 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 正向电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | JEDEC-95代码 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 驱动器数量 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | 闸门收费 | 集极脉冲电流(Icm) | Td(开/关)@25°C | 开关能量 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FS100R12KT4GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2937 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 100A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 515W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 165 ns | 2.2V @ 15V, 100A | 570 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 6.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1400R17IP4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 763 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 12 | SILICON | 2.2V | 1400A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | PrimePACK™3 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | 不合格 | 2 Independent | Dual | 9.55kW | ISOLATED | 955000W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 5mA | 1700V | 1030 ns | 2.2V @ 15V, 1400A | 2190 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 110nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS200R12KT4RB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2630 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 280A | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X35 | 三相逆变器 | ISOLATED | 1000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 190 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 600 ns | 有 | 14nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 4 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 7 | SILICON | 460A | 2 | -40°C~150°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 7 | 不合格 | NPN | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1600W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 325 ns | 2.15V @ 15V, 300A | 800 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 19nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT85GR120L | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-264-3 | NO | TO-264 | 3 | SILICON | 962 W | 3.5 V | 170 A | - 55 C | + 150 C | 250 nA | 30 V | 通孔 | 1 | 0.352740 oz | Tube | 微芯片技术 | 170 A | APT85GR120 | 活跃 | 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 113 ns | -55 °C | 445 ns | 150 °C | 有 | APT85GR120L | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.15 | Details | 1200 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | EAR99 | SINGLE | THROUGH-HOLE | compliant | R-PSFM-T3 | Single | 962 | COLLECTOR | Standard | 962 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | TO-264AA | 1200 V | 962 W | 3.2V @ 15V, 85A | 170 A | 170 | NPT | 1200 V | 660 nC | 340 A | 43ns/300ns | 6mJ (on), 3.8mJ (off) | 30 V | 6.5 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2ED300C17SROHSBPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2085 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 通孔 | Module | 18 | 400 ns | -25°C~85°C | 2008 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 20V | 30A | 15V | 2 Independent | 16V | 14V | 80mA | Dual | 30A | 400 ns | 不含卤素 | Standard | 1700V | 2 | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12W1T4B3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 88 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 20 | SILICON | 1.85V | 1.2kV | 6 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 20 | EAR99 | UL认证 | 130W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 130W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 28A | 1mA | 1200V | 120 ns | 2.25V @ 15V, 15A | 495 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 890pF @ 25V | Unknown | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS200R12KT4RBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2153 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 280A | 6 | -40°C~150°C TJ | 2013 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 1000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 190 ns | 2.15V @ 15V, 200A | 600 ns | NPT | 有 | 14nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R12KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2593 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 7 | 520A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2008 | C | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | 7 | NPN | 半桥 | Dual | ISOLATED | 2400W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1200V | 2400W | 325 ns | 2.15V @ 15V, 450A | 800 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 20V | 28nF @ 25V | 2.15 V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB6U134N16RRBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 9800 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 70A | 1 | 150°C TJ | 2000 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 19 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 19 | R-XUFM-X19 | 不合格 | Single | ISOLATED | 500W | 35A | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.6kV | 500μA | 1600V | 2.75V @ 15V, 70A | NPT | 有 | 5.1nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT150GT120JR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | ISOTOP® | 3.2 V | 170 A | 900 nA | 微芯片技术 | 活跃 | Details | 1200 V | 830 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Thunderbolt IGBT, ISOTOP | 1.058219 oz | Tube | 170 A | APT150 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | Thunderbolt IGBT® | Single | 830 W | Standard | - 55 C to + 150 C | 150 µA | 1200 V | 3.7V @ 15V, 150A | NPT | 无 | 9.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT150GN120J | Atmel (Microchip Technology) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | SOT-227-4 | 1.7 V | 215 A | 600 nA | Details | 1200 V | 625 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | 底座安装 | 1 | ISOTOP | 1.058219 oz | Tube | Single | - 55 C to + 150 C | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGLQ100DA120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 2.05 V | 170 A | 150 nA | 微芯片技术 | 1200 V | 520 W | - 40 C | + 125 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | Bulk | 170 A | APTGLQ100 | 活跃 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | Single | 520 W | Standard | 50 µA | 1200 V | 2.42V @ 15V, 100A | 沟渠现场停车 | 有 | 6.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP30R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 24 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 23 | SILICON | 37A | 7 | -40°C~150°C | Bulk | 2002 | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 115W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 37A | 1mA | 42 ns | 2V @ 15V, 30A | 245 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.65nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ600R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 209 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1200A | 1 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X3 | Single | ISOLATED | 3350W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1700V | 355 ns | 2.3V @ 15V, 600A | 930 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 49nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 91 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 20A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 23 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 105W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 108 ns | 2.25V @ 15V, 10A | 500 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 600pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 75A | 7 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 610 ns | 有 | 3.5nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50DDA60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 32 | SP3 | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 微芯片技术 | Details | 600 V | 176 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 80 A | APTGT50 | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 176 W | Dual | Dual | 176 W | Standard | 600 V | 80 A | 250 µA | 600 V | 3.15 nF | 1.9V @ 15V, 50A | 80 | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12IE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2839 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 10 | SILICON | 600A | 2 | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 半桥 | Dual | ISOLATED | 3350W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 3350W | 410 ns | 2.05V @ 15V, 600A | 1020 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 37nF @ 25V | 2.05 V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ250R65KE3NPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 990 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 20 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 5 | 500A | 1 | -50°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Single | 4800W | 不含卤素 | Standard | 6.5kV | 250A | 5mA | 6500V | 4800W | 3.4V @ 15V, 250A | 无 | 20V | 69nF @ 25V | 3.4 V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GN60JDQ4 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | NO | ISOTOP® | 4 | SILICON | Details | 600 V | 682 W | 1.5 V | 283 A | - 55 C | + 175 C | 600 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | ISOTOP | 1.058219 oz | 微芯片技术 | Tube | 283 A | APT200 | 活跃 | ISOTOP-4 PIN | FLANGE MOUNT | PLASTIC/EPOXY | 130 ns | ISOTOP | 660 ns | 未说明 | 175 °C | 有 | APT200GN60JDQ4 | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.52 | ISOTOP | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | unknown | 4 | R-PUFM-X4 | 不合格 | Single | 682 | ISOLATED | 682 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | - 55 C to + 175 C | 50 µA | 600 V | 682 W | 1.85V @ 15V, 200A | 283 A | 283 | 沟渠现场停车 | 600 V | 无 | 20 V | 14.1 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F475R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 15 | SILICON | 100A | 4 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 三相逆变器 | ISOLATED | 275W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 45 ns | 1.9V @ 15V, 75A | 330 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 4.6nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R06W2E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 10000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 65A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 175W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 600V | 85 ns | 1.9V @ 15V, 50A | 470 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 105A | 6 | 150°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 28 | R-XUFM-X28 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 350W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 610 ns | NPT | 有 | 5.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12W2T4BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 12 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 23 | SILICON | 54A | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 215W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 43 ns | 2.25V @ 15V, 35A | 510 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 |
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
834.736234
FF1400R17IP4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
4,441.364627
FS200R12KT4RB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
821.747147
FF300R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
834.753945
APT85GR120L
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2ED300C17SROHSBPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,220.341312
FP15R12W1T4B3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
217.124059
FS200R12KT4RBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
833.315431
FF450R12KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,005.934611
DDB6U134N16RRBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
621.108928
APT150GT120JR
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT150GN120J
Atmel (Microchip Technology)
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGLQ100DA120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ600R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP10R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
47.225556
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,179.802389
APTGT50DDA60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,604.529669
FZ250R65KE3NPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
6,637.815271
APT200GN60JDQ4
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F475R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
280.986778
FP50R06W2E3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
266.228823
FS75R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP35R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
223.476086
