Infineon Technologies FP15R12W1T4B3BOMA1

工厂交货时间

16 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

20

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.85V

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

20

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL认证

最大功率耗散

130W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

130W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

28A

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

120 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.25V @ 15V, 15A

关断时间-标准值（toff)

495 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

890pF @ 25V

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅