Microchip Technology APTGLQ100DA120T1G

包装/外壳

SP1

安装类型

底座安装

供应商器件包装

SP1

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05 V

Continuous Collector Current at 25 C

170 A

Gate-Emitter Leakage Current

150 nA

Pd - Power Dissipation

520 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

170 A

Base Product Number

APTGLQ100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

配置

Single

功率 - 最大

520 W

输入

Standard

最大集极截止电流

50 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.42V @ 15V, 100A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

6.15 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块