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1

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10

￥391.015116
100

￥368.882189
500

￥348.002065
1000

￥328.303829

Microchip Technology APT150GT120JR

Name: APT150GT120JR
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APT150GT120JR
Price: 414.48 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT150GT120JR

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APT150GT120JR

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227View in Development Tools Selector

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APT150GT120JR Microchip Technology IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227View in Development Tools Selector

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APT150GT120JR详情

技术参数

Microchip Technology APT150GT120JR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

SOT-227-4
安装类型

底座安装
供应商器件包装

ISOTOP®
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2 V
Continuous Collector Current at 25 C

170 A
Gate-Emitter Leakage Current

900 nA
Pd - Power Dissipation

830 W
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage

20 V
Mounting Styles

底座安装
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Tradename

Thunderbolt IGBT, ISOTOP
Unit Weight

1.058219 oz
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

170 A
Base Product Number

APT150
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

Thunderbolt IGBT®
配置

Single
功率 - 最大

830 W
输入

Standard
工作温度范围

- 55 C to + 150 C
最大集极截止电流

150 µA
电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 150A
IGBT类型

NPT
NTC热敏电阻

无
输入电容(Cies)@Vce

9.3 nF @ 25 V
产品

IGBT硅模块
高度

9.6 mm
长度

38.2 mm
宽度

25.4 mm

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APT150GT120JR拓展信息

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