类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

生命周期状态

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

质量

终端数量

晶体管元件材料

Collector-Emitter Saturation Voltage

Continuous Collector Current at 25 C

Gate-Emitter Leakage Current

厂商

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

基本部件号

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

元素配置

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

功率 - 最大

晶体管应用

无卤素

上升时间

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

输入

集电极发射器电压(VCEO)

最大集电极电流

工作温度范围

连续放电电流(ID)

最大重复反向电压(Vrrm)

最大集极截止电流

电压 - 集射极击穿(最大值)

输入电容

最大耗散功率(Abs)

接通时间

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

集电极电流-最大值(IC)

连续集电极电流

关断时间-标准值(toff)

IGBT类型

集电极-发射器电压-最大值

NTC热敏电阻

栅极-发射极电压-最大值

输入电容(Cies)@Vce

VCEsat-最大值

产品

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FF1200R12IE5BPSA1
FF1200R12IE5BPSA1
Infineon Technologies 数据表

791 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

2400A

2

-40°C~175°C

2002

PrimePack™2

活跃

1 (Unlimited)

10

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

R-PUFM-X10

半桥

ISOLATED

20mW

电源控制

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

430 ns

2.15V @ 15V, 1200A

680 ns

沟渠现场停车

有

65.5nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APTGT400DA120G
APTGT400DA120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

5

SP6

1.7 V

560 A

800 nA

微芯片技术

560 A

APTGT400

活跃

1.2 kV

Details

1.2 kV

1.785 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

1.785 kW

Single

Single

1.785

1785 W

Standard

1.2 kV

560 A

750 µA

1200 V

28 nF

2.1V @ 15V, 400A

560

沟渠现场停车

无

28 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTGT30H170T3G
APTGT30H170T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

2 V

45 A

600 nA

微芯片技术

活跃

1.7 kV

Details

1.7 kV

210 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

45 A

APTGT30

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

210 W

全桥

210 W

Standard

1.7 kV

45 A

250 µA

1700 V

2.5 nF

2.4V @ 15V, 30A

45

沟渠现场停车

有

2.5 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FZ1200R33HE3BPSA1
FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

514 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

Module

NO

SILICON

1200A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X3

全桥

ISOLATED

13000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

3300V

1150 ns

3.2V @ 15V, 1200A

3550 ns

沟渠现场停车

无

210nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS450R12KE3BOSA1
FS450R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2784 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

14 Weeks

Tin

Screw

底座安装

Module

29

SILICON

2.15V

1.2kV

6

-40°C~125°C TJ

2002

no

不用于新设计

1 (Unlimited)

29

EAR99

2.1kW

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

29

不合格

三相逆变器

2.1kW

ISOLATED

2100W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

600A

5mA

1200V

400 ns

2.15V @ 15V, 450A

810 ns

沟渠现场停车

有

32nF @ 25V

17mm

162mm

150mm

ROHS3 Compliant

含铅

STGE200NB60S
STGE200NB60S
STMicroelectronics 数据表

1430 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Chassis Mount, Panel, Screw

底座安装

SOT-227-4, miniBLOC

4

28.349523g

SILICON

1.2V

600V

1

2.4 μs

-55°C~150°C TJ

PowerMESH™

活跃

1 (Unlimited)

4

EAR99

Nickel (Ni)

600V

600W

UPPER

UNSPECIFIED

150A

STGE200

4

Single

600W

ISOLATED

64 ns

电源控制

112ns

600V

N-CHANNEL

Standard

600V

200A

200A

500μA

1.56nF

170 ns

1.6V @ 15V, 100A

4600 ns

无

20V

1.56nF @ 25V

1.6 V

9.1mm

38.2mm

25.5mm

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

APTGT450A60G
APTGT450A60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

1.4 V

550 A

600 nA

微芯片技术

Bulk

550 A

APTGT450

活跃

600 V

250 ns

Details

600 V

1.75 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

1.75 kW

Dual

Dual

1.75

130 ns

1750 W

Standard

600 V

550 A

500 µA

600 V

37 nF

1.8V @ 15V, 450A

550

沟渠现场停车

无

37 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

无铅

APTGT200A120G
APTGT200A120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

NO

SP6

7

SILICON

Details

1200 V

890 W

1.7 V

280 A

- 40 C

+ 100 C

500 nA

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

280 A

APTGT200

活跃

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

340 ns

610 ns

未说明

150 °C

有

APTGT200A120G

RECTANGULAR

2

活跃

MICROSEMI CORP

1.52

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

雪崩 额定

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

compliant

7

R-XUFM-X7

不合格

半桥

ISOLATED

890 W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

350 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 200A

280 A

280

沟渠现场停车

1200 V

无

14 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT50H60T3G
APTGT50H60T3G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

32

SP3

1.5 V

80 A

600 nA

微芯片技术

80 A

APTGT50

活跃

600 V

4.823714 oz

1

底座安装

20 V

+ 100 C

- 40 C

176 W

600 V

Details

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

176 W

全桥

176 W

Standard

600 V

80 A

250 µA

600 V

3.15 nF

1.9V @ 15V, 50A

80

沟渠现场停车

有

3.15 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

FS800R07A2E3B31BOSA1
FS800R07A2E3B31BOSA1
Infineon Technologies 数据表

256 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

26 Weeks

2006

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

不含卤素

680V

ROHS3 Compliant

含铅

APTGT200A60T3AG
APTGT200A60T3AG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP3-32

20

SP3

1.5 V

290 A

400 nA

微芯片技术

活跃

600 V

Details

600 V

750 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

Bulk

290 A

APTGT200

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

750 W

Dual

Dual

750 W

Standard

600 V

290 A

250 µA

600 V

12.3 nF

1.9V @ 15V, 200A

290

沟渠现场停车

有

12.3 nF @ 25 V

IGBT硅模块

无

APTGT300SK120G
APTGT300SK120G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP6

SP6

1.7 V

420 A

600 nA

3.880136 oz

微芯片技术

Bulk

420 A

APTGT300

活跃

Details

1.2 kV

1.38 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

Single

1380 W

Standard

500 µA

1200 V

2.1V @ 15V, 300A

420

沟渠现场停车

无

21 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FZ1500R33HE3BPSA1
FZ1500R33HE3BPSA1
Infineon Technologies 数据表

892 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

36 Weeks

底座安装

Module

NO

9

SILICON

1500A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

5

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X5

全桥

ISOLATED

17000W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

3300V

1150 ns

3.1V @ 15V, 1500A

3550 ns

沟渠现场停车

无

280nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FS150R12KE3BOSA1
FS150R12KE3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

10 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

200A

6

-40°C~125°C TJ

2002

no

活跃

1 (Unlimited)

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

R-XUFM-X35

不合格

三相逆变器

ISOLATED

700W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

340 ns

2.15V @ 15V, 150A

610 ns

NPT

有

10.5nF @ 25V

ROHS3 Compliant

含铅

FF300R12MS4BOSA1
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

2210 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

Screw

底座安装

Module

11

SILICON

2

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

11

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

11

不合格

2 Independent

Dual

ISOLATED

1950W

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

370A

5mA

1200V

180 ns

3.75V @ 15V, 300A

590 ns

有

20nF @ 25V

符合RoHS标准

FP15R12KT3BOSA1
FP15R12KT3BOSA1
Infineon Technologies 数据表

34 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

18A

7

-40°C~125°C

2002

no

活跃

不适用

24

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

24

不合格

三相逆变器

ISOLATED

83.5W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

140 ns

2.45V @ 15V, 10A

610 ns

有

600pF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGT300A60G
APTGT300A60G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6

7

SP6

1.4 V

430 A

500 nA

微芯片技术

430 A

APTGT300

活跃

600 V

Details

600 V

1.15 kW

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

175 °C

-40 °C

1.15 kW

Dual

Dual

1.15

1150 W

Standard

600 V

430 A

350 µA

600 V

24 nF

1.8V @ 15V, 300A

430

沟渠现场停车

无

24 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGL40H120T1G
APTGL40H120T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

底座安装

SP1-12

SP1

1.85 V

65 A

400 nA

2.821917 oz

微芯片技术

Bulk

65 A

APTGL40

活跃

Details

1.2 kV

220 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

全桥

220 W

Standard

250 µA

1200 V

2.25V @ 15V, 35A

65

沟渠现场停车

有

1.95 nF @ 25 V

IGBT硅模块

APTGT50SK170T1G
APTGT50SK170T1G
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP-1

NO

12

SP1

12

SILICON

Details

1.7 kV

312 W

2 V

75 A

- 40 C

+ 150 C

400 nA

20 V

底座安装

1

2.821917 oz

微芯片技术

Bulk

75 A

APTGT50

活跃

1.7 kV

FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12

FLANGE MOUNT

1

UNSPECIFIED

450 ns

1100 ns

未说明

150 °C

有

APTGT50SK170T1G

RECTANGULAR

1

活跃

MICROSEMI CORP

2.15

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

e1

有

EAR99

锡银铜

150 °C

-40 °C

312 W

UPPER

THROUGH-HOLE

未说明

compliant

12

R-XUFM-T12

不合格

Single

Single

312

ISOLATED

312 W

MOTOR CONTROL

N-CHANNEL

Standard

1.7 kV

75 A

- 40 C to + 150 C

250 µA

1700 V

4.4 nF

312 W

2.4V @ 15V, 50A

75 A

75

沟渠现场停车

1700 V

有

20 V

4.4 nF @ 25 V

2.4 V

IGBT硅模块

11.5 mm

51.6 mm

40.8 mm

无

FZ1200R12HP4HOSA2
FZ1200R12HP4HOSA2
Infineon Technologies 数据表

2676 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

50 Weeks

底座安装

Module

NO

SILICON

1790A

3

-40°C~150°C

2002

活跃

1 (Unlimited)

9

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

R-XUFM-X9

单开关

Dual

ISOLATED

7150W

电源控制

N-CHANNEL

Standard

1.2kV

1.79kA

5mA

1200V

890 ns

2.05V @ 15V, 1200A

1550 ns

Trench

无

74nF @ 25V

ROHS3 Compliant

APTGT150TDU60PG
APTGT150TDU60PG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP6-P

6

SP6-P

1.5 V

225 A

400 nA

微芯片技术

225 A

APTGT150

活跃

600 V

Details

600 V

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tube

-

480 W

三双共源

480 W

Standard

1.9 V

225 A

250 µA

600 V

9.2 nF

1.9V @ 15V, 150A

225

沟渠现场停车

无

9.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FP50R12KT4GBOSA1
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies 数据表

1 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

Screw

底座安装

Module

35

SILICON

7

-40°C~150°C

2002

no

活跃

不适用

35

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

35

NPN

三相逆变器

ISOLATED

280W

电源控制

不含卤素

Standard

1.2kV

50A

1mA

1200V

107 ns

2.15V @ 15V, 50A

630 ns

沟渠现场停车

有

2.8nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

F450R12KS4BOSA1
F450R12KS4BOSA1
Infineon Technologies 数据表

53 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

16 Weeks

底座安装

Module

NO

24

SILICON

70A

4

-40°C~125°C

2002

活跃

不适用

24

EAR99

UL 认证

UPPER

UNSPECIFIED

未说明

未说明

三相逆变器

ISOLATED

355W

电源控制

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

1200V

190 ns

3.75V @ 15V, 50A

390 ns

有

3.4nF @ 25V

符合RoHS标准

含铅

APTGT100DU120TG
APTGT100DU120TG
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 months ago)

Chassis Mount, Screw

底座安装

SP4

20

SP4

1.7 V

140 A

400 nA

微芯片技术

140 A

APTGT100

活跃

1.2 kV

Details

1.2 kV

480 W

- 40 C

+ 100 C

20 V

底座安装

1

3.880136 oz

Bulk

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tube

-

150 °C

-40 °C

480 W

Dual

Dual

480 W

Standard

1.2 kV

140 A

250 µA

1200 V

7.2 nF

2.1V @ 15V, 100A

140

沟渠现场停车

有

7.2 nF @ 25 V

IGBT硅模块

FF200R33KF2CNOSA1
FF200R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies 数据表

3000 In Stock

-

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底座安装

Module

NO

SILICON

3.3kV

330A

2

-40°C~125°C

2002

no

最后一次购买

1 (Unlimited)

8

EAR99

UPPER

UNSPECIFIED

8

R-XUFM-X8

2 Independent

Dual

2.2kW

ISOLATED

2200W

不含卤素

N-CHANNEL

Standard

5mA

3300V

480 ns

4.25V @ 15V, 200A

1900 ns

无

20V

25nF @ 25V

4.25 V

Non-RoHS Compliant

含铅