类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 连续放电电流(ID) | 最大重复反向电压(Vrrm) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FF1200R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 791 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2400A | 2 | -40°C~175°C | 2002 | PrimePack™2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-PUFM-X10 | 半桥 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 430 ns | 2.15V @ 15V, 1200A | 680 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 65.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT400DA120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.7 V | 560 A | 800 nA | 微芯片技术 | 560 A | APTGT400 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 1.785 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 1.785 kW | Single | Single | 1.785 | 1785 W | Standard | 1.2 kV | 560 A | 750 µA | 1200 V | 28 nF | 2.1V @ 15V, 400A | 560 | 沟渠现场停车 | 无 | 28 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT30H170T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 32 | SP3 | 2 V | 45 A | 600 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 1.7 kV | Details | 1.7 kV | 210 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 45 A | APTGT30 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 210 W | 全桥 | 210 W | Standard | 1.7 kV | 45 A | 250 µA | 1700 V | 2.5 nF | 2.4V @ 15V, 30A | 45 | 沟渠现场停车 | 有 | 2.5 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R33HE3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 514 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1200A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X3 | 全桥 | ISOLATED | 13000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 3300V | 1150 ns | 3.2V @ 15V, 1200A | 3550 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 210nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS450R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2784 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Tin | Screw | 底座安装 | Module | 29 | SILICON | 2.15V | 1.2kV | 6 | -40°C~125°C TJ | 2002 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 29 | EAR99 | 2.1kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 29 | 不合格 | 三相逆变器 | 2.1kW | ISOLATED | 2100W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 600A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 450A | 810 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 32nF @ 25V | 17mm | 162mm | 150mm | ROHS3 Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE200NB60S | STMicroelectronics | 数据表 | 1430 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Chassis Mount, Panel, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 28.349523g | SILICON | 1.2V | 600V | 1 | 2.4 μs | -55°C~150°C TJ | PowerMESH™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Nickel (Ni) | 600V | 600W | UPPER | UNSPECIFIED | 150A | STGE200 | 4 | Single | 600W | ISOLATED | 64 ns | 电源控制 | 112ns | 600V | N-CHANNEL | Standard | 600V | 200A | 200A | 500μA | 1.56nF | 170 ns | 1.6V @ 15V, 100A | 4600 ns | 无 | 20V | 1.56nF @ 25V | 1.6 V | 9.1mm | 38.2mm | 25.5mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT450A60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 1.4 V | 550 A | 600 nA | 微芯片技术 | Bulk | 550 A | APTGT450 | 活跃 | 600 V | 250 ns | Details | 600 V | 1.75 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 1.75 kW | Dual | Dual | 1.75 | 130 ns | 1750 W | Standard | 600 V | 550 A | 500 µA | 600 V | 37 nF | 1.8V @ 15V, 450A | 550 | 沟渠现场停车 | 无 | 37 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200A120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | NO | SP6 | 7 | SILICON | Details | 1200 V | 890 W | 1.7 V | 280 A | - 40 C | + 100 C | 500 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 280 A | APTGT200 | 活跃 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 340 ns | 610 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGT200A120G | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 1.52 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 7 | R-XUFM-X7 | 不合格 | 半桥 | ISOLATED | 890 W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 350 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 200A | 280 A | 280 | 沟渠现场停车 | 1200 V | 无 | 14 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50H60T3G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 32 | SP3 | 1.5 V | 80 A | 600 nA | 微芯片技术 | 80 A | APTGT50 | 活跃 | 600 V | 4.823714 oz | 1 | 底座安装 | 20 V | + 100 C | - 40 C | 176 W | 600 V | Details | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 176 W | 全桥 | 176 W | Standard | 600 V | 80 A | 250 µA | 600 V | 3.15 nF | 1.9V @ 15V, 50A | 80 | 沟渠现场停车 | 有 | 3.15 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3B31BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 256 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | 2006 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 不含卤素 | 680V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT200A60T3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP3-32 | 20 | SP3 | 1.5 V | 290 A | 400 nA | 微芯片技术 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 750 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | Bulk | 290 A | APTGT200 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 750 W | Dual | Dual | 750 W | Standard | 600 V | 290 A | 250 µA | 600 V | 12.3 nF | 1.9V @ 15V, 200A | 290 | 沟渠现场停车 | 有 | 12.3 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 无 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300SK120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 1.7 V | 420 A | 600 nA | 3.880136 oz | 微芯片技术 | Bulk | 420 A | APTGT300 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 1.38 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 1380 W | Standard | 500 µA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 300A | 420 | 沟渠现场停车 | 无 | 21 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1500R33HE3BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 892 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 36 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 9 | SILICON | 1500A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X5 | 全桥 | ISOLATED | 17000W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 3300V | 1150 ns | 3.1V @ 15V, 1500A | 3550 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 280nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 10 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 200A | 6 | -40°C~125°C TJ | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | R-XUFM-X35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 700W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 340 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 610 ns | NPT | 有 | 10.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF300R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2210 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 2 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | 不合格 | 2 Independent | Dual | ISOLATED | 1950W | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 370A | 5mA | 1200V | 180 ns | 3.75V @ 15V, 300A | 590 ns | 有 | 20nF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12KT3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 34 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 18A | 7 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 24 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 83.5W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 140 ns | 2.45V @ 15V, 10A | 610 ns | 有 | 600pF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT300A60G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 7 | SP6 | 1.4 V | 430 A | 500 nA | 微芯片技术 | 430 A | APTGT300 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 1.15 kW | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 175 °C | -40 °C | 1.15 kW | Dual | Dual | 1.15 | 1150 W | Standard | 600 V | 430 A | 350 µA | 600 V | 24 nF | 1.8V @ 15V, 300A | 430 | 沟渠现场停车 | 无 | 24 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL40H120T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1-12 | SP1 | 1.85 V | 65 A | 400 nA | 2.821917 oz | 微芯片技术 | Bulk | 65 A | APTGL40 | 活跃 | Details | 1.2 kV | 220 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | 220 W | Standard | 250 µA | 1200 V | 2.25V @ 15V, 35A | 65 | 沟渠现场停车 | 有 | 1.95 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT50SK170T1G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP-1 | NO | 12 | SP1 | 12 | SILICON | Details | 1.7 kV | 312 W | 2 V | 75 A | - 40 C | + 150 C | 400 nA | 20 V | 底座安装 | 1 | 2.821917 oz | 微芯片技术 | Bulk | 75 A | APTGT50 | 活跃 | 1.7 kV | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 450 ns | 1100 ns | 未说明 | 150 °C | 有 | APTGT50SK170T1G | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.15 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 150 °C | -40 °C | 312 W | UPPER | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-T12 | 不合格 | Single | Single | 312 | ISOLATED | 312 W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 1.7 kV | 75 A | - 40 C to + 150 C | 250 µA | 1700 V | 4.4 nF | 312 W | 2.4V @ 15V, 50A | 75 A | 75 | 沟渠现场停车 | 1700 V | 有 | 20 V | 4.4 nF @ 25 V | 2.4 V | IGBT硅模块 | 11.5 mm | 51.6 mm | 40.8 mm | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R12HP4HOSA2 | Infineon Technologies | 数据表 | 2676 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1790A | 3 | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X9 | 单开关 | Dual | ISOLATED | 7150W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 1.79kA | 5mA | 1200V | 890 ns | 2.05V @ 15V, 1200A | 1550 ns | Trench | 无 | 74nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150TDU60PG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6-P | 6 | SP6-P | 1.5 V | 225 A | 400 nA | 微芯片技术 | 225 A | APTGT150 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Tube | - | 480 W | 三双共源 | 480 W | Standard | 1.9 V | 225 A | 250 µA | 600 V | 9.2 nF | 1.9V @ 15V, 150A | 225 | 沟渠现场停车 | 无 | 9.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4GBOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 1 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 35 | SILICON | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | NPN | 三相逆变器 | ISOLATED | 280W | 电源控制 | 不含卤素 | Standard | 1.2kV | 50A | 1mA | 1200V | 107 ns | 2.15V @ 15V, 50A | 630 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 2.8nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F450R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 53 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 24 | SILICON | 70A | 4 | -40°C~125°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | 24 | EAR99 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 355W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 190 ns | 3.75V @ 15V, 50A | 390 ns | 有 | 3.4nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT100DU120TG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP4 | 20 | SP4 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | 140 A | APTGT100 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 480 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 480 W | Dual | Dual | 480 W | Standard | 1.2 kV | 140 A | 250 µA | 1200 V | 7.2 nF | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 有 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 3.3kV | 330A | 2 | -40°C~125°C | 2002 | no | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 8 | R-XUFM-X8 | 2 Independent | Dual | 2.2kW | ISOLATED | 2200W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 3300V | 480 ns | 4.25V @ 15V, 200A | 1900 ns | 无 | 20V | 25nF @ 25V | 4.25 V | Non-RoHS Compliant | 含铅 |
FF1200R12IE5BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
4,105.141313
APTGT400DA120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT30H170T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS450R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,820.540797
STGE200NB60S
STMicroelectronics
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT450A60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200A120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50H60T3G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS800R07A2E3B31BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT200A60T3AG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT300SK120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1500R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS150R12KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
343.393385
FF300R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,362.224916
FP15R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
406.909548
APTGT300A60G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGL40H120T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APTGT50SK170T1G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ1200R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,663.114032
APTGT150TDU60PG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP50R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
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F450R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
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APTGT100DU120TG
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF200R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
