Microchip Technology APTGT50SK170T1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

SP-1

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

12

供应商器件包装

SP1

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Gate-Emitter Leakage Current

400 nA

Pd - Power Dissipation

312 W

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Mounting Styles

底座安装

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

2.821917 oz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

Base Product Number

APTGT50

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7 kV

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

450 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

1100 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTGT50SK170T1G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.15

包装

Tube

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

312 W

端子位置

UPPER

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-T12

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

312

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

312 W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.7 kV

最大集电极电流

75 A

工作温度范围

- 40 C to + 150 C

最大集极截止电流

250 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700 V

输入电容

4.4 nF

最大耗散功率(Abs)

312 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 50A

集电极电流-最大值(IC)

75 A

连续集电极电流

75

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

1700 V

NTC热敏电阻

有

栅极-发射极电压-最大值

20 V

输入电容(Cies)@Vce

4.4 nF @ 25 V

VCEsat-最大值

2.4 V

产品

IGBT硅模块

高度

11.5 mm

长度

51.6 mm

宽度

40.8 mm

辐射硬化

无