Infineon Technologies FZ1200R33HE3BPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

1200A

Number of Elements

3

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

JESD-30代码

R-XUFM-X3

配置

全桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

13000W

晶体管应用

电源控制

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

3300V

接通时间

1150 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 1200A

关断时间-标准值（toff)

3550 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

210nF @ 25V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅