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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	串行总线类型	耐力	写入周期时间 - 最大值
GS881Z36CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.52	QFP	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有	GS881Z36CGT-250	262144 words	2.5 V				e3	有	3A991.B.2.B		Matte Tin (Sn)			FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS	QUAD	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit		SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	5.5 ns		256 k x 36	1.6 mm	36					9437184 bit		PARALLEL	ZBT SRAM							20 mm	14 mm
GS8672Q20BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II		Tray	GS8672Q20BE				SigmaQuad-II+ B2						Memory & Data Storage																72 Mbit			1.51 A			4 M x 18				SRAM			72									SRAM
GS816136DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	QFP,	FLATPACK	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS816136DGT-150	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP	有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR		Tray	GS816136DGT			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	QUAD	鸥翼	未说明	1		compliant	100	R-PQFP-G100			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	180 mA, 190 mA	7.5 ns		512 k x 36		36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL	缓存SRAM					SRAM
GS8161E32DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 32				SRAM												SRAM
GS816132DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C		GS816132DGD																		165								18 Mbit	4		175 mA, 190 mA	7.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 32			19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS816236DB-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	无	GS816236DB-375I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	-40 to 100 °C	Tray	GS816236DB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119			2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit	4	SYNCHRONOUS	290 mA, 370 mA	4.2 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36	1.99 mm	36		SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	缓存SRAM	SRAM	22 mm	14 mm
GS8342T37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade				333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T37BGD				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage								165								36 Mbit	1		670 mA		Pipelined	1 M x 36			19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial								SRAM
GS8162Z36DB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-200I	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	BGA,		Tray	GS8162Z36DB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through				FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns		512 k x 36	1.99 mm	36		SRAM			18874368 bit		PARALLEL	ZBT SRAM					SRAM	22 mm	14 mm
GS8342R18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade				400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342R18BGD				SigmaDDR-II B4						Memory & Data Storage								165								36 Mbit	1		600 mA		Pipelined	2 M x 18			21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial								SRAM
GS8672T19BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	1.9 V	+ 70 C				有	333 MHz	DDR-II	Details	SigmaDDR-II+	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15		Tray	GS8672T19BGE				SigmaDDR-II+ B2						Memory & Data Storage																72 Mbit			950 mA			4 M x 18				SRAM			72									SRAM
93LC56A/SM	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	PLASTIC/EPOXY	SOP8,.3	40	70 °C	有	93LC56A/SM	2 MHz	256 words	3 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	活跃	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.17	SOIC			SOP, SOP8,.3	小概要	256				e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)			1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS	8542.32.00.51	EEPROMs	CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	1.27 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格		6 V	3/5 V	COMMERCIAL	2.5 V			SYNCHRONOUS	0.0015 mA			256X8	2.03 mm	8				0.000001 A	2048 bit		SERIAL	EEPROM	MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles	6 ms	200	SOFTWARE		5.28 mm	5.2 mm
GS8160E36DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				200 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8160E36DGT				DCD Synchronous Burst						Memory & Data Storage								100								18 Mbit	4		225 mA, 230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36			19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial								SRAM
GS8672D36BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II		Tray	GS8672D36BE				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																72 Mbit			1.88 A			2 M x 36				SRAM			72									SRAM
GS816136DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SyncBurst	Details	SDR				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816136DGT				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																18 Mbit			230 mA, 250 mA	5.5 ns		512 k x 36				SRAM												SRAM
GS84032CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	2.5 V	131072 words	GS84032CGB-150	有	70 °C	未说明	PLASTIC/EPOXY	128000	网格排列	BGA,		Details	150 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	5.18	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	BGA		Tray	GS84032CGB			3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through				IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	4 Mbit		SYNCHRONOUS	130 mA, 140 mA	7.5 ns		128 k x 32	1.99 mm	32					4194304 bit		PARALLEL	缓存SRAM							22 mm	14 mm
GS8321E36AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	0 to 85 °C		GS8321E36AD																		165								36 Mbit	4		205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36			20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS816218DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	Details	SDR				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816218DGD				Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																18 Mbit			170 mA, 180 mA	7.5 ns		1 M x 18				SRAM												SRAM
GS882Z18CGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	SMD/SMT	Parallel				250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V			GS882Z18CGB																										9 Mbit			145 mA, 180 mA	5.5 ns		512 k x 18
GS8672Q18BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V				400 MHz	Parallel	1.7 V		Tray	GS8672Q18BE				SigmaQuad-II																						72 Mbit			1.38 A			4 M x 18							72
AT28C256E-25PC	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS881Z36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS881Z36CGT				NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																9 Mbit			130 mA, 140 mA	7.5 ns		256 k x 36				SRAM												SRAM
AT28C256E-30DM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8161E32DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	NBT SRAM	Details	SDR				有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8161E32DGT				DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																18 Mbit			250 mA, 270 mA	5.5 ns		512 k x 32				SRAM												SRAM
GS8182D18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade				250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	表面贴装	1.9 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	0 to 70 °C	Tray	GS8182D18BGD				SigmaQuad-II						Memory & Data Storage								165								18 Mbit	2		420 mA		Pipelined	1 M x 18			18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial								SRAM
GS8672Q19BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	Details	400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II+	1.9 V					Tray	GS8672Q19BGE				SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C														1.8 V					72 Mbit	2		1.38 A			4 M x 18			21 b		72 Mb		72												无