GSI Technology GS8162Z36DB-200I
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GS8162Z36DB-200I
2984-GS8162Z36DB-200I
存储器
BGA-119
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ZBT SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, FPBGA-119
1最小包装量--
GS8162Z36DB-200I详情
GSI Technology GS8162Z36DB-200I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
BGA-119
表面安装
YES
终端数量
119
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
21
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
NBT SRAM
Memory Types
SDR
Package Description
BGA,
Package Style
网格排列
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
6.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
GS8162Z36DB-200I
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.25
Part Package Code
BGA
系列
GS8162Z36DB
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
NBT Pipeline/Flow Through
附加功能
FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
内存大小
18 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
230 mA
访问时间
6.5 ns
组织结构
512 k x 36
座位高度-最大
1.99 mm
内存宽度
36
产品类别
SRAM
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
产品类别
SRAM
宽度
14 mm
长度
22 mm
GS8162Z36DB-200I拓展信息
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