GSI Technology GS816136DGT-150
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GS816136DGT-150
2984-GS816136DGT-150
存储器
TQFP-100
大陆
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Cache SRAM, 512KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
1最小包装量--
GS816136DGT-150详情
GSI Technology GS816136DGT-150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
包装/外壳
TQFP-100
表面安装
YES
终端数量
100
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
150 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
SyncBurst
RoHS
Details
Memory Types
SDR
Package Description
QFP,
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
512000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
7.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
GS816136DGT-150
Number of Words
524288 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
GSI TECHNOLOGY
Risk Rank
5.26
Part Package Code
QFP
系列
GS816136DGT
包装
Tray
ECCN 代码
3A991.B.2.B
类型
Pipeline/Flow Through
附加功能
FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
Memory & Data Storage
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
引脚数量
100
JESD-30代码
R-PQFP-G100
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3 V
内存大小
18 Mbit
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
180 mA, 190 mA
访问时间
7.5 ns
组织结构
512 k x 36
内存宽度
36
产品类别
SRAM
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
缓存SRAM
产品类别
SRAM
GS816136DGT-150拓展信息
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