GSI Technology GS8321E36AGD-150

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

BGA-165

表面安装

YES

终端数量

165

Maximum Clock Rate

133@Flow-Through/150@Pipelined MHz

Supplier Package

FBGA

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

2.5, 3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

2.3, 3 V

Timing Type

Synchronous

Number of Words

1 MWords

Number of I/O Lines

36 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

2.7, 3.6 V

Mounting

表面贴装

Moisture Sensitive

有

Maximum Clock Frequency

150 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 70 C

Supply Voltage-Max

3.6 V

Minimum Operating Temperature

0 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

18

Supply Voltage-Min

2.3 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

Parallel

Manufacturer

GSI技术

Brand

GSI技术

Tradename

SyncBurst

RoHS

Details

Memory Types

SDR

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

7.5 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GS8321E36AGD-150

Clock Frequency-Max (fCLK)

150 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GSI TECHNOLOGY

Risk Rank

5.31

Part Package Code

BGA

Usage Level

Commercial grade

操作温度

0 to 85 °C

系列

GS8321E36AGD

包装

Tray

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.B

类型

DCD Pipeline/Flow Through

端子表面处理

锡银铜

附加功能

IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE

子类别

Memory & Data Storage

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

165

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5/3.3 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

内存大小

36 Mbit

端口的数量

4

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

190 mA, 200 mA

访问时间

7.5 ns

建筑学

Flow-Through/Pipelined

组织结构

1 M x 36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.4 mm

内存宽度

36

地址总线宽度

20 Bit

产品类别

SRAM

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

37748736 bit

筛选水平

Commercial

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

2.3 V

产品类别

SRAM

宽度

13 mm

长度

15 mm