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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	数据总线宽度	组织结构	座位高度-最大	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	待机电流-最大值	记忆密度	并行/串行	同步/异步	字长	内存IC类型	串行总线类型	耐力	命令用户界面	行业规模	页面尺寸
GS881Z36CGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	TQFP-100	YES	100	GS881Z36CGT-250	262144 words	2.5 V	LQFP	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.52	QFP				250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	LQFP,	FLATPACK, LOW PROFILE	3	256000	PLASTIC/EPOXY	未说明	5.5 ns	70 °C	有					e3	有				3A991.B.2.B		Matte Tin (Sn)	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41		CMOS		QUAD	鸥翼	260	1		0.65 mm	compliant	100	R-PQFP-G100	不合格		2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	9 Mbit			SYNCHRONOUS	155 mA, 195 mA	5.5 ns					256 k x 36	1.6 mm	36						9437184 bit		PARALLEL			ZBT SRAM												20 mm	14 mm
GS8672Q20BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II							有	450 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray		GS8672Q20BE							SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage																		72 Mbit				1.51 A						4 M x 18					SRAM			72																			SRAM
GS816136DGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	TQFP-100	YES	100	SyncBurst	Details	SDR	QFP,	FLATPACK	512000	PLASTIC/EPOXY	未说明	7.5 ns	70 °C	有	GS816136DGT-150	524288 words	2.5 V	QFP	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.26	QFP				有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray		GS816136DGT						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		FLOW THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		QUAD	鸥翼	未说明	1			compliant	100	R-PQFP-G100			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	18 Mbit			SYNCHRONOUS	180 mA, 190 mA	7.5 ns					512 k x 36		36			SRAM			18874368 bit		PARALLEL		缓存SRAM											SRAM
GS8161E32DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS8161E32DGT							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 32					SRAM																						SRAM
GS816132DGD-150V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	32 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	150 MHz	+ 85 C	2.7 V	0 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				0 to 85 °C			GS816132DGD																					165								18 Mbit	4			175 mA, 190 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 32				19 Bit		18 Mbit			Commercial
GS816236DB-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	375 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	4.2 ns	85 °C	无	GS816236DB-375I	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA	Industrial grade				FBGA	SDR	-40 to 100 °C	Tray		GS816236DB						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		ALSO OPERATES AT 3.3V	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119			2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit	4		SYNCHRONOUS	290 mA, 370 mA	4.2 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36	1.99 mm	36		SRAM	18 Mbit	18874368 bit	Industrial	PARALLEL		缓存SRAM							SRAM	22 mm	14 mm
GS8342T37BGD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	Details	DDR	Industrial grade							333 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	-40 to 100 °C	Tray		GS8342T37BGD							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage										165								36 Mbit	1			670 mA				Pipelined		1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Industrial															SRAM
GS8162Z36DB-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	NBT SRAM	SDR	BGA,	网格排列	512000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	未说明	6.5 ns	85 °C	无	GS8162Z36DB-200I	524288 words	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.25	BGA				有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray		GS8162Z36DB						3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V		INDUSTRIAL	2.3 V	18 Mbit			SYNCHRONOUS	230 mA	6.5 ns					512 k x 36	1.99 mm	36			SRAM			18874368 bit		PARALLEL		ZBT SRAM											SRAM	22 mm	14 mm
GS8342R18BGD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaCIO DDR-II	Details	DDR	Commercial grade							400 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 to 85 °C	Tray		GS8342R18BGD							SigmaDDR-II B4				Memory & Data Storage										165								36 Mbit	1			600 mA				Pipelined		2 M x 18				21 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial															SRAM
GS8672T19BGE-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	1.7 V	15	0 C	1.9 V	+ 70 C							有	333 MHz	DDR-II	Details	SigmaDDR-II+		Tray		GS8672T19BGE							SigmaDDR-II+ B2				Memory & Data Storage																		72 Mbit				950 mA						4 M x 18					SRAM			72																			SRAM
93LC56A/SM	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8				SOP, SOP8,.3	小概要	256	PLASTIC/EPOXY	SOP8,.3	40	70 °C	有	93LC56A/SM	2 MHz	256 words	3 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	活跃	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.17	SOIC							e3	有				EAR99		Matte Tin (Sn)	1000000 ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 200 YEARS	8542.32.00.51	EEPROMs	CMOS		DUAL	鸥翼	260	1		1.27 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格		6 V	3/5 V	COMMERCIAL	2.5 V				SYNCHRONOUS	0.0015 mA						256X8	2.03 mm	8					0.000001 A	2048 bit		SERIAL			EEPROM		MICROWIRE	1000000 Write/Erase Cycles	6 ms	200	SOFTWARE								5.28 mm	5.2 mm
GS8160E36DGT-200IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade							200 MHz	TQFP	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 100 C	2.7 V	-40 to 85 °C	Tray		GS8160E36DGT							DCD Synchronous Burst				Memory & Data Storage										100								18 Mbit	4			225 mA, 230 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial															SRAM
GS8672D36BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II							有	400 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V		Tray		GS8672D36BE							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage																		72 Mbit				1.88 A						2 M x 36					SRAM			72																			SRAM
GS816136DGT-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR							有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS816136DGT							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				230 mA, 250 mA	5.5 ns					512 k x 36					SRAM																						SRAM
GS84032CGB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	YES	119	活跃	RECTANGULAR	BGA	2.5 V	131072 words	GS84032CGB-150	有	70 °C	未说明	PLASTIC/EPOXY	128000	网格排列	BGA,					Details	150 MHz	Parallel	2.3 V	0 C	+ 70 C	SMD/SMT	SDR	有	84	SyncBurst	3.6 V	5.18	GSI TECHNOLOGY		Tray		GS84032CGB						3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through		IT ALSO OPERATES AT 3 V TO 3.6 V SUPPLY VOLTAGE			CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1.27 mm	compliant		R-PBGA-B119			2.7 V		COMMERCIAL	2.3 V	4 Mbit			SYNCHRONOUS	130 mA, 140 mA	7.5 ns					128 k x 32	1.99 mm	32						4194304 bit		PARALLEL			缓存SRAM												22 mm	14 mm
GS8321E36AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade				0 to 85 °C			GS8321E36AD																					165								36 Mbit	4			205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36				20 Bit		36 Mbit			Commercial
GS816218DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR							有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS816218DGD							Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				170 mA, 180 mA	7.5 ns					1 M x 18					SRAM																						SRAM
GS882Z18CGB-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	Parallel							250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT				GS882Z18CGB																													9 Mbit				145 mA, 180 mA	5.5 ns					512 k x 18
GS8672Q18BE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165							400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II	1.9 V		Tray		GS8672Q18BE							SigmaQuad-II																						72 Mbit				1.38 A						4 M x 18								72
AT28C256E-25PC	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS881Z36CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C		Tray		GS881Z36CGT							NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		9 Mbit				130 mA, 140 mA	7.5 ns					256 k x 36					SRAM																						SRAM
AT28C256E-30DM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8161E32DGT-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR							有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C		Tray		GS8161E32DGT							DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage																		18 Mbit				250 mA, 270 mA	5.5 ns					512 k x 32					SRAM																						SRAM
GS8182D18BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR	Commercial grade							250 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	表面贴装	1.9 V	有	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 to 70 °C	Tray		GS8182D18BGD							SigmaQuad-II				Memory & Data Storage										165								18 Mbit	2			420 mA				Pipelined		1 M x 18				18 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial															SRAM
S34ML04G100TFI003	Cypress Semiconductor Corp	数据表	4500 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	99 Weeks	表面贴装	表面贴装	48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	48	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tape & Reel (TR)	2014	ML-1	e3		Discontinued	3 (168 Hours)	48			Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51			2.7V~3.6V	DUAL			1	3.3V	0.5mm					3.3V	3.6V			2.7V	4Gb 512M x 8		30mA			20 ns	FLASH	Parallel		8b	512MX8		8	25ns	30b		4 Gb	0.00005A				Asynchronous	8b		3V						NO	NO	YES	4K	128K	2kB	YES		1.2mm	18.4mm		无	ROHS3 Compliant