GSI Technology GS8161E32DGT-250
- 收藏
- 对比
GS8161E32DGT-250
2984-GS8161E32DGT-250
存储器
TQFP-100
大陆
立即发货

GS8161E32DGT-250 datasheet pdf and Memory product details from GSI Technology stock available at utmel
1最小包装量--
GS8161E32DGT-250详情
GSI Technology GS8161E32DGT-250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TQFP-100
Moisture Sensitive
有
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
36
Supply Voltage-Min
2.3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
Manufacturer
GSI技术
Brand
GSI技术
Tradename
NBT SRAM
RoHS
Details
Memory Types
SDR
系列
GS8161E32DGT
包装
Tray
类型
DCD Pipeline/Flow Through
子类别
Memory & Data Storage
内存大小
18 Mbit
电源电流-最大值
230 mA, 250 mA
访问时间
5.5 ns
组织结构
512 k x 32
产品类别
SRAM
产品类别
SRAM
GS8161E32DGT-250拓展信息
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology
GSI Technology







哦! 它是空的。