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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																																														操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	端子间距	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	建筑学	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	筛选水平	并行/串行	数据保持时间	写入保护	待机电压-最小值	I2C控制字节	产品类别
GS8672T36BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	DDR-II		Tray	GS8672T36BE				SigmaDDR-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.2 A			2 M x 36					SRAM			72												SRAM
GS8182D37BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8182D37BD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	Industrial grade	300 MHz	FBGA	-40 to 85 °C	Tray	GS8182D37BD	e0	无	3A991.B.2.B	SigmaQuad II+	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	545 mA		Pipelined	512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36	17 Bit	SRAM	18 Mbit	0.165 A	18874368 bit	Industrial	PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM	1.7 V		SRAM	15 mm	10 mm
GS8342QT37BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	Details	DDR	Commercial grade				200 MHz	FBGA	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	1.9 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8342QT37BGD				SigmaQuad-II+ B2				Memory & Data Storage								165							36 Mbit	2		640 mA		Pipelined	1 M x 36				19 Bit	SRAM	36 Mbit			Commercial											SRAM
GS8182S08BD-167I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	167 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaSIO DDR-II	DDR		Tray	GS8182S08BD				SigmaSIO DDR-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			325 mA			2 M x 8					SRAM															SRAM
24LCS52ISTG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	256 words	TSSOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	活跃	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.21			SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	256	PLASTIC/EPOXY	TSSOP8,.25	-40 °C	85 °C	有	24LCS52-I/STG				e3				Matte Tin (Sn)			EEPROMs	CMOS	DUAL	鸥翼			0.635 mm	compliant		R-PDSO-G8	不合格		2.5/5 V	INDUSTRIAL					0.003 mA			256X8			8				0.000001 A	2048 bit		SERIAL		EEPROM	I2C	1000000 Write/Erase Cycles		200	HARDWARE/SOFTWARE		1010DDDR
GS8161Z36DGT-250V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	18	1.7 V	0 to 85 °C	Tray	GS8161Z36DGT				NBT				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		225 mA, 245 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Commercial											SRAM
GS8161E36DGT-250IV	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Industrial grade				181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	TQFP	SDR	1.8, 2.5 V	1.7, 2.3 V	Synchronous	表面贴装	2, 2.7 V	36 Bit	512 kWords	有	250 MHz	+ 85 C	2.7 V	- 40 C	18	1.7 V	-40 to 85 °C	Tray	GS8161E36DGT				DCD Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								100							18 Mbit	4		245 mA, 265 mA	5.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial											SRAM
GS8672Q36BGE-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	Details	QDR-II				有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672Q36BGE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.48 A			2 M x 36					SRAM			72												SRAM
GS8182D37BD-375I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	GS8182D37BD-375I	375 MHz	524288 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	GSI技术	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.21	BGA	375 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	512000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无				e0	无	3A991.B.2.B		Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	SRAMs	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	not_compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	645 mA			512 k x 36	3-STATE	1.4 mm	36				0.18 A	18874368 bit		PARALLEL	SEPARATE	DDR SRAM						1.7 V			15 mm	10 mm
GS8672D18BE-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165				有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	QDR-II		Tray	GS8672D18BE				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.12 A			4 M x 18					SRAM			72												SRAM
GS88136CGD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	Commercial grade				200@Flow-Through/300@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	256 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	0 to 70 °C	Tray	GS88136CGD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								165							9 Mbit	1		165 mA, 225 mA	5 ns	Flow-Through/Pipelined	256 k x 36				17 Bit	SRAM	9 Mbit			Commercial											SRAM
GS8162Z36DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	N	SDR	Industrial grade				153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	-40 to 100 °C	Tray	GS8162Z36DD				NBT Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								165							18 Mbit	4		230 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	512 k x 36				19 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial											SRAM
GS832236AGB-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-119	YES	119	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	SDR	Details	SyncBurst	GSI技术	GSI技术	Parallel	SMD/SMT	2.3 V	14	0 C	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS832236AGB-200	200 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Commercial grade	FBGA	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS832236AGB	e1	有	3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2.7 V	2.5/3.3 V	COMMERCIAL	2.3 V	36 Mbit	4	SYNCHRONOUS	205 mA, 240 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36		SRAM	36 Mbit	0.03 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V		SRAM	22 mm	14 mm
GS8162Z18DGB-200V	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-119	YES	119	1.7, 2.3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2, 2.7 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 70 C	2.7 V	0 C	21	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	BGA,	网格排列	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	6.5 ns	70 °C	有	GS8162Z18DGB-200V	1.8 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.27	BGA	Commercial grade	153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	1.8, 2.5 V	0 to 85 °C	Tray	GS8162Z18DGB			3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through		FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1.27 mm	compliant	119	R-PBGA-B119	不合格	2 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit	2	SYNCHRONOUS	190 mA, 195 mA	6.5 ns	Flow-Through/Pipelined	1 M x 18		1.99 mm	18	20 Bit	SRAM	18 Mbit		18874368 bit	Commercial	PARALLEL		ZBT SRAM			SRAM	22 mm	14 mm
GS816218DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SyncBurst	N	SDR				有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS816218DD				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage															18 Mbit			210 mA, 230 mA	5.5 ns		1 M x 18					SRAM															SRAM
GS8182Q09BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	GSI技术	SigmaQuad-II	DDR	Industrial grade				333 MHz	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	9 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	-40 to 85 °C	Tray	GS8182Q09BD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit	2		870 mA		Pipelined	2 M x 9				20 Bit	SRAM	18 Mbit			Industrial											SRAM
GS8342T19BD-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342T19BD-333I	333 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade	333 MHz	FBGA	-40 to 100 °C	Tray	GS8342T19BD	e0		3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Lead (Sn/Pb)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V	36 Mbit	1	SYNCHRONOUS	525 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.205 A	37748736 bit	Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM	1.7 V		SRAM	15 mm	13 mm
GS8182Q09BGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II	Details	DDR				有	200 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8182Q09BGD				SigmaQuad-II				Memory & Data Storage															18 Mbit			500 mA			2 M x 9					SRAM															SRAM
GS8182D18BGD-333	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	BGA-165	YES	165	DDR	LBGA,	GRID ARRAY, LOW PROFILE	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	未说明	0.45 ns	70 °C	有	GS8182D18BGD-333	1048576 words	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.18	BGA	有	333 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details		Tray	GS8182D18BGD	e1	有	3A991.B.2.B	SigmaQuad-II	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	260	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V		COMMERCIAL	1.7 V	18 Mbit		SYNCHRONOUS	515 mA			1 M x 18		1.4 mm	18		SRAM			18874368 bit		PARALLEL		DDR SRAM								SRAM	15 mm	13 mm
25AA320ISNG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	小概要	1	4000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA320-I/SNG	1 MHz	4096 words	2.5 V	SOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.25	SOIC			3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8				e3	有	EAR99		Matte Tin (Sn)		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	1.27 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS				4KX8		1.75 mm	8					32768 bit		SERIAL		EEPROM	SPI		5 ms						4.9 mm	3.9 mm
GS8342D19BD-350	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES	165	QDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	2 MWords	18 Bit	1.9 V	表面贴装	有	350 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	2000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	未说明	0.45 ns	70 °C	无	GS8342D19BD-350	350 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.22	BGA	Commercial grade	350 MHz	FBGA	0 to 85 °C	Tray	GS8342D19BD			3A991.B.2.B	SigmaQuad-II+ B4		流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS	BOTTOM	BALL	未说明	1	1 mm	compliant	165	R-PBGA-B165	不合格	1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V	36 Mbit	2	SYNCHRONOUS	665 mA		Pipelined	2 M x 18	3-STATE	1.4 mm	18	19 Bit	SRAM	36 Mbit	0.22 A	37748736 bit	Commercial	PARALLEL	SEPARATE	QDR SRAM	1.7 V		SRAM	15 mm	13 mm
GS8342DT11BD-350I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	9 Bit	1.9 V	有	350 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	DDR				350 MHz	-40 to 100 °C	Tray	GS8342DT11BD				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage								165							36 Mbit			675 mA	0.45		4 M x 9					SRAM			36												SRAM
GS8672D19BE-450	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	SigmaQuad-II+	N	QDR-II				有	450 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术		Tray	GS8672D19BE				SigmaQuad-II+				Memory & Data Storage															72 Mbit			1.49 A			4 M x 18					SRAM			72												SRAM
25AA640X-I/STG	Microchip	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	8	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	1	8000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	40	85 °C	有	25AA640X-I/STG	1 MHz	8192 words	2.5 V	TSSOP	RECTANGULAR	Microchip Technology Inc	不推荐	MICROCHIP TECHNOLOGY INC	5.3	SOIC			4.40 MM, PLASTIC, TSSOP-8				e3	有	EAR99		哑光锡		8542.32.00.51		CMOS	DUAL	鸥翼	260	1	0.65 mm	compliant	8	R-PDSO-G8	不合格	5.5 V		INDUSTRIAL	1.8 V			SYNCHRONOUS				8KX8		1.2 mm	8					65536 bit		SERIAL		EEPROM	SPI		5 ms						4.4 mm	3 mm
GS816236DGB-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119				250@Flow-Through/400@Pipelined MHz	FBGA	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	36 Bit	2.7, 3.6 V	有	400 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	0 to 85 °C	Tray	GS816236DGB				Pipeline/Flow Through				Memory & Data Storage								119							18 Mbit			280 mA, 365 mA	4@Flow-Through/2.5@P		512 k x 36				19 Bit	SRAM			18												SRAM