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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量																																														操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	类型	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	电压 - 供电	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	频率	时间@峰值回流温度-最大值(s)	基本部件号	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	界面	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	电源电流	操作模式	最大电源电流	时钟频率	电源电流-最大值	访问时间	内存格式	内存接口	建筑学	数据总线宽度	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	写入周期时间 - 字符、页面	地址总线宽度	产品类别	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	筛选水平	并行/串行	I/O类型	内存IC类型	待机电压-最小值	顺序突发长度	访问模式	自我刷新	产品类别	座位高度(最大)	长度	宽度
W949D6CBHX6E	Winbond Electronics Corporation	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	60	活跃	WINBOND ELECTRONICS CORP	5.37	BGA								8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	32000000	PLASTIC/EPOXY	BGA60,9X10,32	-25 °C	未说明	5 ns	85 °C	有	W949D6CBHX6E	166 MHz	33554432 words	1.8 V	TFBGA	RECTANGULAR	Winbond Electronics Corp										EAR99					AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.28	DRAMs	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		0.8 mm	compliant				60	R-PBGA-B60	不合格		1.95 V	1.8 V	OTHER	1.7 V					1		SYNCHRONOUS			0.075 mA						32MX16	3-STATE	1.025 mm	16					0.00001 A	536870912 bit				COMMON	DDR DRAM			8192	2,4,8,16	2,4,8,16	四库页面突发	YES			9 mm	8 mm
GS8342TT07BD-300I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks		BGA-165	YES			165	300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	1.7 V	Synchronous	4 MWords	8 Bit	1.9 V	表面贴装	有	300 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II+	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	0.45 ns	85 °C	无	GS8342TT07BD-300I	300 MHz	1.8 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.36	BGA	Industrial grade			-40 to 100 °C	Tray		GS8342TT07BD	e0					3A991.B.2.B	SigmaDDR-II+ B2	Tin/Lead (Sn/Pb)			PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	INDUSTRIAL	1.7 V				36 Mbit	1		SYNCHRONOUS			460 mA				Pipelined		4 M x 8	3-STATE	1.4 mm	8		21 Bit	SRAM	36 Mbit		33554432 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM		1.7 V			SRAM		15 mm	13 mm
GS881E18CGT-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TQFP-100	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	72	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR									有		Tray		GS881E18CGT							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								9 Mbit						120 mA, 130 mA	7.5 ns					512 k x 18						SRAM																SRAM
GS8322Z36AD-250I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3 Weeks		BGA-165	YES			165	181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA165,11X15,40	-40 °C	未说明	5.5 ns	85 °C	无	GS8322Z36AD-250I	250 MHz	2.5 V	LBGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Industrial grade			-40 to 100 °C	Tray		GS8322Z36AD	e0	无				3A991.B.2.B	NBT Pipeline/Flow Through	Tin/Lead (Sn/Pb)			ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V				36 Mbit	4		SYNCHRONOUS			250 mA, 305 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.4 mm	36		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.04 A	37748736 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	ZBT SRAM		2.3 V			SRAM		15 mm	13 mm
GS8182D37BD-400	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	400 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR									有		Tray		GS8182D37BD							SigmaQuad II+						Memory & Data Storage																								18 Mbit						670 mA						512 k x 36						SRAM																SRAM
GS8161E36DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR									有		Tray		GS8161E36DGD							DCD Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit						210 mA	6.5 ns					512 k x 36						SRAM																SRAM
GS8321Z36AGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	0 C	18	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	Details	SDR	Commercial grade									FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 to 85 °C	Tray		GS8321Z36AGD							NBT						Memory & Data Storage													165											36 Mbit	4					230 mA, 285 mA	5.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36						SRAM	36 Mbit				Commercial											SRAM
GS816236DB-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-119	+ 70 C	3.6 V	0 C	21	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR	Commercial grade									133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	512 kWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	0 to 85 °C	Tray		GS816236DB							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													119											18 Mbit	4					180 mA, 190 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		512 k x 36					19 Bit	SRAM	18 Mbit				Commercial											SRAM
GS8672T36BGE-333I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	333 MHz	+ 85 C	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	Details	DDR-II									有		Tray		GS8672T36BGE							SigmaDDR-II						Memory & Data Storage																								72 Mbit						1.28 A						2 M x 36						SRAM																SRAM
GS8162Z18DD-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	3.6 V	- 40 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	NBT SRAM	SDR	Industrial grade									153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	18 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	200 MHz	+ 85 C	-40 to 100 °C	Tray		GS8162Z18DD							NBT Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage													165											18 Mbit	2					215 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 18					20 Bit	SRAM	18 Mbit				Industrial											SRAM
GS8182D09BGD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	250 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II	Details	DDR									有		Tray		GS8182D09BGD							SigmaQuad-II						Memory & Data Storage																								18 Mbit						420 mA						2 M x 9						SRAM																SRAM
GS8342T09BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10 Weeks	BGA-165	YES		165	300 MHz	FBGA	DDR	1.8000 V	Synchronous	4 MWords	9 Bit	表面贴装	有	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaDDR-II	N	DDR	LBGA, BGA165,11X15,40	GRID ARRAY, LOW PROFILE	4000000	PLASTIC/EPOXY	BGA	5.36	GSI TECHNOLOGY	活跃	RECTANGULAR	LBGA	1.8 V	300 MHz	GS8342T09BD-300	无	70 °C	0.45 ns	未说明	BGA165,11X15,40	Commercial grade					0 to 85 °C	Tray		GS8342T09BD						3A991.B.2.B	SigmaDDR-II B2				流水线结构	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	未说明	1		1 mm	compliant				165	R-PBGA-B165	不合格		1.9 V	1.5/1.8,1.8 V	COMMERCIAL	1.7 V				36 Mbit	1		SYNCHRONOUS			450 mA				Pipelined		4 M x 9	3-STATE	1.4 mm	9		21 Bit	SRAM	36 Mbit	0.185 A	37748736 bit		Commercial	PARALLEL	COMMON	DDR SRAM		1.7 V				SRAM	15 mm	13 mm
GS832236AGB-150I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks				BGA-119	YES			119	133@Flow-Through/150@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	有	150 MHz	+ 85 C	3.6 V	- 40 C	14	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR	BGA, BGA119,7X17,50	网格排列	3	1000000	PLASTIC/EPOXY	BGA119,7X17,50	-40 °C	未说明	7.5 ns	85 °C	有	GS832236AGB-150I	150 MHz	2.5 V	BGA	RECTANGULAR	活跃	GSI TECHNOLOGY	5.12	BGA	Industrial grade	-40 to 100 °C	Tray		GS832236AGB	e1	有				3A991.B.2.B	Pipeline/Flow Through	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)			ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY, PIPELINED ARCHITECTURE, FLOW THROUGH	8542.32.00.41	Memory & Data Storage	CMOS		BOTTOM	BALL	260	1		1.27 mm	compliant				119	R-PBGA-B119	不合格		2.7 V	2.5/3.3 V	INDUSTRIAL	2.3 V				36 Mbit	4		SYNCHRONOUS			210 mA, 220 mA	7.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36	3-STATE	1.99 mm	36		20 Bit	SRAM	36 Mbit	0.04 A	37748736 bit		Industrial	PARALLEL	COMMON	缓存SRAM	2.3 V				SRAM		22 mm	14 mm
GS864436E-200I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	3.6 V	- 40 C	15	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	SDR	Industrial grade									153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	表面贴装	2.7, 3.6 V	36 Bit	2 MWords	有	200 MHz	+ 85 C	-40 to 85 °C	Tray		GS864436E							同步突发						Memory & Data Storage													165											72 Mbit	4					295 mA, 380 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		2 M x 36					21 Bit	SRAM	72 Mbit				Industrial											SRAM
GS816118DD-250	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	250 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	N	SDR									有		Tray		GS816118DD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit						210 mA, 230 mA	5.5 ns					1 M x 18						SRAM																SRAM
GS816132DGD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR									有		Tray		GS816132DGD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit						210 mA	6.5 ns					512 k x 32						SRAM																SRAM
GS8672D37BE-450I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	1.9 V	- 40 C	15	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	QDR-II									有	450 MHz	+ 85 C		Tray		GS8672D37BE							SigmaQuad-II+						Memory & Data Storage																								72 Mbit						2.07 A						2 M x 36						SRAM			72													SRAM
GS8182D19BD-300	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	300 MHz	+ 70 C	1.9 V	0 C	18	1.7 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SigmaQuad-II+	N	DDR									有		Tray		GS8182D19BD							SigmaQuad II+						Memory & Data Storage																								18 Mbit						490 mA						1 M x 18						SRAM																SRAM
GS8672Q19BGE-400I	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	+ 85 C	SMD/SMT	QDR-II	有	15	SigmaQuad-II+	1.9 V									Details	400 MHz	Parallel	1.7 V	- 40 C		Tray		GS8672Q19BGE							SigmaQuad-II+		100 °C	-40 °C																			1.8 V								72 Mbit	2					1.38 A						4 M x 18					21 b		72 Mb		72																	无
GS816118DGD-150	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165	150 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	36	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	GSI技术	GSI技术	SyncBurst	Details	SDR									有		Tray		GS816118DGD							Pipeline/Flow Through						Memory & Data Storage																								18 Mbit						170 mA, 180 mA	7.5 ns					1 M x 18						SRAM																SRAM
AT28C256F-30UM/883	Atmel	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
GS8321Z36AD-200	GSI Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	BGA-165								153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz	FBGA	SDR	2.5, 3.3 V	2.3, 3 V	Synchronous	1 MWords	36 Bit	2.7, 3.6 V	表面贴装	200 MHz	+ 70 C	3.6 V	0 C	2.3 V	SMD/SMT	Parallel	Commercial grade		0 to 85 °C																													165											36 Mbit	4					205 mA, 240 mA	6.5 ns			Flow-Through/Pipelined		1 M x 36					20 Bit		36 Mbit				Commercial
IS34MW04G084-TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	8 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)	YES				Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tray					活跃	3 (168 Hours)	48										1.7V~1.95V	DUAL		未说明	1	1.8V	0.5mm			未说明			R-PDSO-G48			1.95V			1.7V				4Gb 512M x 8			SYNCHRONOUS					FLASH	Parallel			512MX8			8	45ns					4294967296 bit						1.8V								1.2mm	18.4mm	12mm		ROHS3 Compliant
25AA160C-I/ST	Microchip Technology	数据表	574 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6 Weeks	Tin	表面贴装	表面贴装	8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)	8	8-TSSOP	Non-Volatile			-40°C~85°C TA	Tube	2004				活跃	1 (Unlimited)					85°C	-40°C					1.8V~5.5V								10MHz		25AA160C				5V					SPI, Serial	5.5V	1.8V	16Kb 2K x 8		5mA			10MHz		160 ns	EEPROM	SPI							5ms			16 kb			3MHz																无	ROHS3 Compliant
IS42S32200L-6TL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	表面贴装	表面贴装	86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width)	86				Volatile	Commercial grade		0°C~70°C TA	Tray			e3		活跃	3 (168 Hours)	86	EAR99		Matte Tin (Sn) - annealed			AUTO/SELF REFRESH	8542.32.00.02			3V~3.6V	DUAL			1	3.3V	0.5mm					86			3.3V	3.6V			3V				64Mb 2M x 32	1	100mA		100mA	166MHz		5.4ns	DRAM	Parallel		32b	2MX32	3-STATE		32		13b		64 Mb	0.002A					COMMON				4096	1248FP	1248				1.2mm	22.22mm		无	ROHS3 Compliant	无铅