2A8备选型号: 2SC4213BTE85LF

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  • 频率
  • 振荡器类型
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • Microsemi Corporation
    RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    Chassis Mount, Surface Mount
    底座安装
    55EU
    3
    21V
    150°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5.3W
    2GHz
    CMOS
    5.3W
    NPN
    21V
    300mA
    20 @ 100mA 5V
    7dB ~ 9dB
    3.5V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 20V 0.3A USM
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    20V
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    活跃
    1 (Unlimited)
    100mW
    30MHz
    -
    100mW
    NPN
    20V
    300mA
    350 @ 4mA 2V
    -
    25V
    -
    符合RoHS标准
    16 Weeks
    Silver, Tin
    42mV
    2009
    EAR99
    unknown
    Single
    30MHz
    NPN
    100nA ICBO
    100mV @ 3mA, 30A
    20V
    50V
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