Microsemi Corporation 2A8

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Surface Mount

安装类型

底座安装

包装/外壳

55EU

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

21V

Current-Collector (Ic) (Max)

300mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

5.3W

频率

2GHz

振荡器类型

CMOS

功率耗散

5.3W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

21V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 100mA 5V

增益

7dB ~ 9dB

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准