2N3763L备选型号: APT13003NZTR-G1

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 接通时间-最大值(ton)
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    12 Weeks
    通孔
    3
    1
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    3
    EAR99
    锡铅
    200°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    1W
    BOTTOM
    WIRE
    SINGLE
    SWITCHING
    PNP
    60V
    1.5A
    TO-5
    150MHz
    60V
    20
    115ns
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Trans GP BJT NPN 530V 1.5A 3-Pin TO-92 Tape Ammo
    -
    15 Weeks
    通孔
    -
    900V
    Tape & Box (TB)
    2015
    e3
    -
    活跃
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    1W
    BOTTOM
    WIRE
    SINGLE
    SWITCHING
    NPN
    400mV
    1.5A
    -
    4MHz
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    1 (Unlimited)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    O-PBCY-W3
    1W
    NPN
    5 @ 1A 2V
    400mV @ 250mA, 1A
    900V
    4MHz
    4500ns
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