2N3763L备选型号: SS8550DBU

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  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 最小直流增益(hFE)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    12 Weeks
    通孔
    3
    1
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    3
    EAR99
    锡铅
    200°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    1W
    BOTTOM
    WIRE
    SINGLE
    SWITCHING
    PNP
    60V
    1.5A
    TO-5
    150MHz
    60V
    20
    115ns
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS PNP 25V 1.5A TO-92
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    7 Weeks
    通孔
    3
    25V
    Bulk
    2017
    e3
    yes
    活跃
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    1W
    BOTTOM
    -
    -
    AMPLIFIER
    PNP
    25V
    1.5A
    -
    200MHz
    -40V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    179mg
    SILICON
    -280mV
    150°C TJ
    1 (Unlimited)
    -25V
    -1.5A
    200MHz
    SS8550
    Single
    1W
    200MHz
    PNP
    160 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    500mV @ 80mA, 800mA
    -6V
    无SVHC
    无铅
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