Diodes Incorporated APT13003NZTR-G1

工厂交货时间

15 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-W3

配置

SINGLE

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 1A 2V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 250mA, 1A

转换频率

4MHz

最大击穿电压

900V

频率转换

4MHz

接通时间-最大值(ton)

4500ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant