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首页 全部分类 2N5880 vs FJP1943RTU

2N5880备选型号: FJP1943RTU

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N5880
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    160W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    PNP
    80V
    15A
    20
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FJP1943RTU
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 230V 15A TO-220AB
    2 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    80W
    -
    -
    -
    PNP
    230V
    15A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    通孔
    TO-220-3
    1.8g
    230V
    -50°C~150°C TJ
    1 (Unlimited)
    30MHz
    Single
    80W
    AMPLIFIER
    30MHz
    PNP
    55 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    TO-220AB
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    -230V
    -5V
    无铅
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