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首页 全部分类 2N5880 vs TTC5200(Q)

2N5880备选型号: TTC5200(Q)

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  • 最大集电极电流
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  • 包装/外壳
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  • 操作温度
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  • 频率
  • 元素配置
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  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N5880
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    160W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    PNP
    80V
    15A
    20
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TTC5200(Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL
    12 Weeks
    通孔
    3
    -
    Tray
    2009
    -
    -
    活跃
    -
    -
    -
    -
    150W
    -
    -
    -
    -
    230V
    15A
    -
    无
    符合RoHS标准
    通孔
    TO-3PL
    230V
    3V
    150°C TJ
    1 (Unlimited)
    30MHz
    Single
    150W
    30MHz
    NPN
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    230V
    5V
    26mm
    20.5mm
    5.2mm
    无铅
  • 添加型号
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