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首页 全部分类 2N5880 vs NJL1302DG

2N5880备选型号: NJL1302DG

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  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • JESD-609代码
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N5880
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    通孔
    3
    SILICON
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    8541.29.00.95
    160W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    O-MBFM-P2
    PNP
    80V
    15A
    20
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NJL1302DG
    ON Semiconductor
    Bipolar Power Transistor, PNP, ThermalTrak™, 15 A, 260 V
    13 Weeks
    通孔
    5
    SILICON
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    200W
    -
    -
    -
    -
    260V
    15A
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    TO-264-5
    260V
    3V
    -65°C~150°C TJ
    1 (Unlimited)
    HIGH RELIABILITY
    -260V
    260
    -15A
    30MHz
    40
    5
    PNP
    Single
    200W
    AMPLIFIER
    30MHz
    PNP + Diode (Isolated)
    75 @ 5A 5V
    50μA ICBO
    3V @ 1A, 10A
    30MHz
    260V
    5V
    25.98mm
    19.89mm
    4.89mm
    无SVHC
    无铅
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