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2N5886备选型号: BUV21G
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- JESD-30代码
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- 功率耗散
- 集电极发射器电压(VCEO)
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- 最小直流增益（hFE）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 安装类型
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
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- 额定电流
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- 引脚数量
- 元素配置
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- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 达到SVHC
- 无铅
Bipolar Transistors - BJT Power BJT12 Weeks通孔TO-33SILICON12007活跃2EAR99200WBOTTOMPIN/PEGO-MBFM-P2NPN200W80V25A20无Non-RoHS Compliant-------------------------------
Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN2 Weeks通孔TO-204AE2SILICON200V2005活跃2EAR99250WBOTTOMPIN/PEG--250W200V40A-无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 3 days ago)Copper, Silver, Tin通孔1.5V-65°C~200°C TJTraySWITCHMODE™e1yes1 (Unlimited)Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)200V26040A8MHz402SingleCOLLECTORSWITCHING8MHzNPNNPN20 @ 12A 2V3mA1.5V @ 3A, 25A8MHz250V7V无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N6339 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-3 | Trans GP BJT NPN 120V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-3 | 对比 |
 | JANTX2N6284 | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-204AA, TO-3 | Trans Darlington NPN 100V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-3 | 对比 |
| BUV22G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-204AE | Trans GP BJT NPN 250V 40A 3-Pin(2 Tab) TO-204 Tray | 对比 |
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