ON Semiconductor BUV21G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

系列

SWITCHMODE™

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

200V

最大功率耗散

250W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

40A

频率

8MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

2

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

8MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

40A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 12A 2V

最大集极截止电流

3mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 3A, 25A

转换频率

8MHz

集电极基极电压(VCBO)

250V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅