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2N6339备选型号: BUV21G

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 极性
  • 配置
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 转换频率
  • 最小直流增益（hFE）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N6339
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 120V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-3
    8 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    TO-3
    1
    2007
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    125°C
    -55°C
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    2
    O-MBFM-P2
    不合格
    NPN
    Single
    200W
    120V
    30A
    40MHz
    30
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BUV21G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
    2 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    通孔
    TO-204AE
    200V
    2005
    e1
    yes
    活跃
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    250W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    40
    2
    -
    -
    -
    -
    250W
    200V
    40A
    8MHz
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    2
    SILICON
    1.5V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    SWITCHMODE™
    1 (Unlimited)
    200V
    40A
    8MHz
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    8MHz
    NPN
    NPN
    20 @ 12A 2V
    3mA
    1.5V @ 3A, 25A
    250V
    7V
    无SVHC
    无
    无铅
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