2N7002PS,115备选型号: BSH111,235

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • Vgs(最大值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    1.6Ohm
    逻辑电平兼容
    420mW
    鸥翼
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    320mW
    3 ns
    420mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.4V @ 250μA
    50pF @ 10V
    0.8nC @ 4.5V
    4ns
    4 ns
    320mA
    20V
    60V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
    -
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    335mA Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    快速切换
    -
    鸥翼
    3
    Single
    增强型MOSFET
    830mW
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 500mA, 4.5V
    1.3V @ 1mA
    40pF @ 10V
    1nC @ 8V
    -
    -
    335mA
    10V
    55V
    55V
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    TrenchMOS™
    EAR99
    8541.29.00.75
    DUAL
    260
    30
    ±10V
    4Ohm
    10 pF
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PMF3800SN,115 PMF3800SN,115 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SC-70, SOT-323 MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 对比