2N7002PS,115备选型号: BSH111,235
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- Vgs(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP4 WeeksTin表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363YES6SILICON2150°C TJCut Tape (CT)2010e3活跃1 (Unlimited)61.6Ohm逻辑电平兼容420mW鸥翼6Dual增强型MOSFET320mW3 ns420mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING1.6 Ω @ 500mA, 10V2.4V @ 250μA50pF @ 10V0.8nC @ 4.5V4ns4 ns320mA20V60V60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23-Tin表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON335mA Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3Obsolete1 (Unlimited)3-快速切换-鸥翼3Single增强型MOSFET830mW--N-ChannelSWITCHING4 Ω @ 500mA, 4.5V1.3V @ 1mA40pF @ 10V1nC @ 8V--335mA10V55V55V--无符合RoHS标准-TrenchMOS™EAR998541.29.00.75DUAL26030±10V4Ohm10 pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |





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