2SA1179N6-CPA-TB-E备选型号: 2SA1162YT1
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 连续集电极电流
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 底架
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 发射极基极电压 (VEBO)
- TRANS PNP 50V 0.15A CP表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350V150°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C200mWPNP2200mWPNP50V150mA200 @ 1mA 6V100nA ICBO500mV @ 5mA, 50mA50V180MHz55V150mA无符合RoHS标准无铅--------------------------
- TRANS PNP 50V 0.15A SC-59表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3350V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009Obsolete1 (Unlimited)--200mW---PNP300mV150mA120 @ 2mA 6V100nA300mV @ 10mA, 100mA--50V--Non-RoHS Compliant含铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)表面贴装SILICON300mVe0no3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)8541.21.00.95-50VDUAL鸥翼240not_compliant-150mA302SA11623不合格SingleAMPLIFIER80MHzPNP80MHz7V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 | |
![]() | 2SA1162YT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 | 对比 |
| 2SA1162-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 |



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