ON Semiconductor 2SA1179N6-CPA-TB-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

极性

PNP

通道数量

2

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

55V

连续集电极电流

150mA

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅