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首页 全部分类 2SA1179N6-TB-E vs 2SA1313-Y,LF

2SA1179N6-TB-E备选型号: 2SA1313-Y,LF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2SA1179N6-TB-E
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 0.15A CP
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    -150mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    200mW
    unknown
    180MHz
    3
    Single
    200mW
    180MHz
    PNP
    50V
    150mA
    135 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    500mV @ 5mA, 50mA
    -55V
    -5V
    1mm
    2.93mm
    1.3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1313-Y,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    -100mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    -
    200MHz
    PNP
    250mV
    500mA
    120 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    -50V
    -5V
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
    符合RoHS标准
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    S-Mini
    150°C
    -55°C
    PNP
    200mW
    50V
    50V
    200MHz
    -500mA
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