ON Semiconductor 2SA1179N6-TB-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-150mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

200mW

Reach合规守则

unknown

频率

180MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

200mW

增益带宽积

180MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

135 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

集电极基极电压(VCBO)

-55V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1mm

长度

2.93mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅