2SA2039-TL-H备选型号: 2SA2097(TE16L1,NQ)
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- 包装
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极基极电压(VCBO)
- Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50VLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6350VTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)800mW2SA2039800mWPNP430mV5A200 @ 500mA 2V1μA ICBO430mV @ 100mA, 2A360MHz6VROHS3 Compliant无铅-------------
- Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2 Tab) New PW-Mold T/R--表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6350VTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)1W--PNP270mV5A200 @ 500mA 2V100nA ICBO270mV @ 53mA, 1.6A-7V符合RoHS标准无铅3SILICON150°C TJ2SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE1WCOLLECTORSWITCHINGPNP50V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KSH210TM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | 对比 | |
![]() | 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R | 对比 |
![]() | 2SA2097(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2 Tab) New PW-Mold T/R | 对比 |



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