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2SA2126-TL-H备选型号: 2SA2126-S-TL-E
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- 最大功率耗散
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- 元素配置
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- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 最高频率
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- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 长度
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- RoHS状态
- 无铅
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Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)4 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63350V-520mV150°C TJTape & Reel (TR)2005e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW2SA21263Single无卤素PNP50V3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO520mV @ 100mA, 2A390MHz390MHz50V-6V2.3mm6.5mm5.5mmROHS3 Compliant无铅-- Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V-4 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63350V-150°C TJTape & Reel (TR)2001--不用于新设计1 (Unlimited)--800mW----PNP520mV3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO520mV @ 100mA, 2A-390MHz50V6V---ROHS3 Compliant无铅800mW
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | 对比 |
| 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R | 对比 |
| 2SA2039-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V | 对比 |
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