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1

￥2.308846
10

￥2.178157
100

￥2.054866
500

￥1.938549
1000

￥1.828826

ON Semiconductor 2SA2126-S-TL-E

Name: 2SA2126-S-TL-E
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2SA2126-S-TL-E
Price: 2.31 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SA2126-S-TL-E

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SA2126-S-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V

起订量

--最小包装量--

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2SA2126-S-TL-E ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V

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2SA2126-S-TL-E详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor 2SA2126-S-TL-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2001
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

800mW
功率耗散

800mW
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

520mV
最大集电极电流

3A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流

1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

520mV @ 100mA, 2A
频率转换

390MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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2SA2126-S-TL-E拓展信息

热销零件