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首页 全部分类 2SC5707-E vs APT13003DI-G1

2SC5707-E备选型号: APT13003DI-G1

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  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2SC5707-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 50V 8A TP
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    50V
    110mV
    150°C TJ
    Bulk
    2001
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1W
    330MHz
    3
    Single
    1W
    330MHz
    NPN
    50V
    8A
    200 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    240mV @ 175mA, 3.5A
    50V
    100V
    6V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    APT13003DI-G1
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
    -
    15 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    -
    450V
    300mV
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    24W
    -
    -
    Single
    -
    4MHz
    NPN
    400mV
    1.5A
    5 @ 1A 2V
    -
    400mV @ 250mA, 1A
    -
    -
    9V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    TO-251
    150°C
    -65°C
    NPN
    24W
    450V
    4MHz
    1.5A
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