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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.33093
10
¥1.255592
100
¥1.184522
500
¥1.117469
1000
¥1.054219
Diodes Incorporated APT13003DI-G1
- 收藏
- 对比
APT13003DI-G1
671-APT13003DI-G1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Volt Trans NPN 450V 24W
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT13003DI-G1详情
Diodes Incorporated APT13003DI-G1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装
TO-251
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5A
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
24W
极性
NPN
元素配置
Single
功率 - 最大
24W
增益带宽积
4MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
5 @ 1A 2V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 250mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
450V
频率转换
4MHz
发射极基极电压 (VEBO)
9V
连续集电极电流
1.5A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
APT13003DI-G1拓展信息
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