ON Semiconductor 2SC5707-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

110mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1W

频率

330MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1W

增益带宽积

330MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

240mV @ 175mA, 3.5A

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅