2SD1620-TD-E备选型号: DMG204B00R
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 基本部件号
- 极性
- 增益带宽积
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 连续集电极电流
- TRANS NPN 10V 3A SOT89-3ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装TO-243AAYES3SILICON10V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2010e6yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.3WFLATnot_compliant3SingleCOLLECTOR500mWNPNNPN10V3A140 @ 3A 2V100nA ICBO400mV @ 60mA, 3A1MHz200MHz10V200MHz30V6V1.5mm4.5mm2.5mmROHS3 Compliant无铅--------
- Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm-10 Weeks表面贴装SOT-23-6-6-10V-150°C TJTape & Reel (TR)2010--Discontinued1 (Unlimited)---300mW---Dual-300mW-NPN, PNP300mV500mA210 @ 2mA 10V / 130 @ 500mA 2V100μA300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA--10V150MHZ 250MHz60V-1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准-表面贴装Mini6-G4-B150°CDMG204NPN, PNP250MHz50V 10V-500mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FCX688BTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 12V 3A SOT-89 | 对比 |
![]() | KSC5019MTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | DMG204B00R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |





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