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首页 全部分类 2SD1620-TD-E vs MJD31C1G

2SD1620-TD-E备选型号: MJD31C1G

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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SD1620-TD-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 10V 3A SOT89-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    10V
    400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    FLAT
    not_compliant
    3
    Single
    COLLECTOR
    500mW
    NPN
    NPN
    10V
    3A
    140 @ 3A 2V
    100nA ICBO
    400mV @ 60mA, 3A
    1MHz
    200MHz
    10V
    200MHz
    30V
    6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD31C1G
    ON Semiconductor
    ON Semi MJD31C1G NPN Bipolar Transistor; 3 A; 100 V; 3-Pin IPAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    NO
    4
    SILICON
    10V
    1.2V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    1.56W
    -
    -
    4
    Single
    COLLECTOR
    -
    NPN
    NPN
    100V
    3A
    10 @ 3A 4V
    50μA
    1.2V @ 375mA, 3A
    -
    3MHz
    100V
    -
    100V
    5V
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    100V
    260
    3A
    3MHz
    40
    MJD31
    R-PSIP-T3
    1.56W
    AMPLIFIER
    3MHz
    无SVHC
    无
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