2SD1620-TD-E备选型号: KSC5019MTA
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 元素配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS NPN 10V 3A SOT89-3ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装TO-243AAYES3SILICON10V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2010e6yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1.3WFLATnot_compliant3SingleCOLLECTOR500mWNPNNPN10V3A140 @ 3A 2V100nA ICBO400mV @ 60mA, 3A1MHz200MHz10V200MHz30V6V1.5mm4.5mm2.5mmROHS3 Compliant无铅-----------
- Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial TransistorLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)7 Weeks通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)-3SILICON10V500mV150°C TJTape & Box (TB)2002e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)750mW---Single--NPNNPN10V2A140 @ 500mA 1V100nA ICBO500mV @ 50mA, 2A-150MHz10V-30V6V4.58mm4.58mm3.86mmROHS3 Compliant无铅通孔240mg10VBOTTOM2A150MHzKSC5019750mW150MHz无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FCX688BTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | TRANS NPN 12V 3A SOT-89 | 对比 |
![]() | KSC5019MTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | DMG204B00R | Panasonic Electronic Components | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | 对比 |





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