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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.853454
10
¥2.691936
100
¥2.539567
500
¥2.395816
1000
¥2.2602
ON Semiconductor KSC5019MTA
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- 对比
KSC5019MTA
1807-KSC5019MTA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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¥
总价: ¥
KSC5019MTA详情
ON Semiconductor KSC5019MTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
240mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
10V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
140
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
10V
最大功率耗散
750mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
2A
频率
150MHz
基本部件号
KSC5019
元素配置
Single
功率耗散
750mW
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
10V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
140 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 2A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
10V
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSC5019MTA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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