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首页 全部分类 2SD1802S-TL-E vs MJD31CITU

2SD1802S-TL-E备选型号: MJD31CITU

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  • 功率耗散
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • ON Semiconductor
    2SD1802S-TL-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 50V 3A TP-FA
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    50V
    190μV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1W
    150MHz
    2SD1802
    3
    Single
    1W
    150MHz
    NPN
    NPN
    50V
    3A
    140 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    500mV @ 100mA, 2A
    50V
    60V
    6V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD31CITU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
    -
    -
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    3
    100V
    1.2V
    150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    1.56W
    3MHz
    MJD31
    -
    Single
    1.56W
    3MHz
    NPN
    NPN
    100V
    3A
    10 @ 3A 4V
    50μA
    1.2V @ 375mA, 3A
    -
    100V
    5V
    6.3mm
    6.8mm
    2.5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    343.08mg
    SILICON
    3
    100V
    3A
    AMPLIFIER
    3MHz
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