2SD1816T-TL-H备选型号: 2SD1816S-TL-H
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Reach合规守则
- Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN SingleACTIVE (Last Updated: 3 days ago)13 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON100V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2017e6yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)8541.29.00.751W鸥翼2SD18163R-PSSO-G2SingleCOLLECTORSWITCHING无卤素NPNNPN100V4A200 @ 500mA 5V1μA ICBO400mV @ 200mA, 2A180MHz180MHz100V180MHz120V6V2.3mm6.5mm5.5mm无ROHS3 Compliant无铅-
- Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN SingleACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON100V400mV150°C TJTape & Reel (TR)2017e6yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)8541.29.00.751W鸥翼2SD18163R-PSSO-G2SingleCOLLECTORSWITCHING无卤素NPNNPN100V4A140 @ 500mA 5V1μA ICBO400mV @ 200mA, 2A180MHz180MHz-180MHz120V6V2.3mm6.5mm5.5mm-ROHS3 Compliant无铅not_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1815S-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R | 对比 |
![]() | 2SD1816S-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R | 对比 |
![]() | 2SD1816S-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single | 对比 |



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