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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.824442
10
¥9.26834
100
¥8.743721
500
¥8.248789
1000
¥7.781878
ON Semiconductor 2SD1815S-TL-E
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- 对比
2SD1815S-TL-E
1807-2SD1815S-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1815S-TL-E详情
ON Semiconductor 2SD1815S-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
7 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150mV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
频率
180MHz
基本部件号
2SD1815
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1W
增益带宽积
180MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 150mA, 1.5A
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1815S-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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